[实用新型]电路结构与器件有效

专利信息
申请号: 201822275903.7 申请日: 2018-12-29
公开(公告)号: CN209748889U 公开(公告)日: 2019-12-06
发明(设计)人: 韦松成 申请(专利权)人: 北京行易道科技有限公司
主分类号: H05K1/02 分类号: H05K1/02
代理公司: 11240 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 韩建伟;谢湘宁<国际申请>=<国际公布>
地址: 100192 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 电接触结构 内层 电连接 电源 顶层 电路结构 电容 去耦 绝缘 线路板 去耦回路 噪声干扰 电路 芯片 缓解 申请
【权利要求书】:

1.一种电路结构,其特征在于,包括:

线路板,包括多个线路层和多个过孔,多个所述线路层中包括底层、顶层、电源内层和地内层,所述电源内层和所述地内层位于所述底层和所述顶层之间,各所述过孔与所述地内层和所述电源内层中的一个电连接,且所述电源内层有多个,和/或所述地内层有多个;

芯片,位于所述顶层的远离所述底层的表面上,所述芯片包括本体和位于所述本体表面上的多个电接触结构,多个所述电接触结构中的部分为第一电接触结构,另一部分为第二电接触结构,所述第一电接触结构通过所述过孔与所述电源内层电连接,所述第二电接触结构通过所述过孔与所述地内层电连接,且至少有两个所述第一电接触结构电连接的所述电源内层相互绝缘且不是同一个所述电源内层,和/或至少两个所述第二电接触结构电连接的所述地内层相互绝缘且不是同一个所述地内层;

多个去耦电容,位于所述顶层的远离所述底层的表面上或者所述底层的远离所述顶层的表面上,一个所述去耦电容通过所述过孔与所述电接触结构连接形成一个去耦回路。

2.根据权利要求1所述的电路结构,其特征在于,所述电源内层有多个或所述地内层有多个,在所述电源内层有多个的情况下,至少有两个所述第一电接触结构电连接的所述电源内层不是同一所述电源内层;在所述地内层有多个的情况下,至少有两个所述第二电接触结构电连接的所述地内层不是同一所述地内层。

3.根据权利要求2所述的电路结构,其特征在于,多个所述去耦回路经过的所述地内层不同或者经过的所述电源内层不同。

4.根据权利要求2所述的电路结构,其特征在于,所述本体内有多个电路,各所述电路通过一个所述第一电接触结构和一个第二电接触结构与所述线路板电连接,多个所述电路中包括第一电路和第二电路,所述电源内层有一个,所述地内层有两个,两个所述地内层分别为第一地内层和第二地内层,所述第一地内层、所述电源内层和所述第二地内层依次沿远离所述底层的方向上间隔设置。

5.根据权利要求4所述的电路结构,其特征在于,多个所述去耦电容中包括第一去耦电容和第二去耦电容,所述第一去耦电容位于所述顶层的远离所述底层的表面上,所述第二去耦电容位于所述底层的远离所述顶层的表面上。

6.根据权利要求5所述的电路结构,其特征在于,所述第一去耦电容的一端通过盲孔与所述第二地内层电连接,所述第一电路的第二电接触结构通过盲孔与所述第二地内层电连接,所述第一去耦电容的另一端与所述第一电接触结构电连接且连接的支路通过盲孔或者通孔与所述电源内层电连接。

7.根据权利要求5所述的电路结构,其特征在于,所述第二去耦电容的一端通过贯穿所述第一地内层的通孔与所述第二电路的第二电接触结构电连接,所述第二去耦电容的另一端通过贯穿所述电源内层的通孔与所述第二电路的第一电接触结构电连接。

8.根据权利要求4至7中任一项所述的电路结构,其特征在于,所述第一电路和所述第二电路中的一个为数字电路,另一个为模拟电路。

9.根据权利要求1所述的电路结构,其特征在于,各所述电接触结构为电源引脚。

10.一种器件,包括电路结构,其特征在于,所述电路结构为权利要求1至9中任一项所述的电路结构。

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