[实用新型]一种薄膜电路

说明书

本实用新型提供一种薄膜电路，其包括一薄膜电路基板和形成在所述薄膜电路基板上的一薄膜电路图形，所述薄膜电路图形包括一电镀膜层图形和位于所述电镀膜层图形下方的一复合金属膜层，所述薄膜电路基板包含一正面、与所述正面相对的一反面以及连接于所述正面与所述反面之间的两两相对的四个侧壁，该些侧壁首尾相连，在该薄膜电路基板的正面、反面以及连接于所述正面与所述反面之间的待溅射的两个相对的侧壁包覆有一层复合金属膜层，与常规的薄膜电路相比，其正面和反面可通过该包覆有所述复合金属膜层的侧壁实现了联通导电，可很好的运用于某些特定的电子产品。

技术领域

本实用新型涉及薄膜电路领域，尤其是涉及一种正反面可联通导电的薄膜电路。

背景技术

薄膜电路是将整个电路的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件以及它们之间的互连引线，全部用厚度在1微米以下的金属、半导体、金属氧化物、多种金属混合相、合金或绝缘介质薄膜，并通过真空蒸发、溅射和电镀等工艺制成的集成电路。

在某些特定的电器中(如常见的键盘电路)，需要运用到薄膜电路正反面可联通导电的薄膜电路产品，但市场上的薄膜电路大多不能实现这样的功能，鉴于此研制出一种正反面可联通导电的薄膜电路产品很有必要。

实用新型内容

鉴于上述情况，本实用新型提供了一种正反面可联通导电的薄膜电路。

为达此目的，本实用新型提供了一种薄膜电路，其包括一薄膜电路基板和形成在所述薄膜电路基板上的一薄膜电路图形，所述薄膜电路图形包括一电镀膜层图形和位于所述电镀膜层图形下方的一复合金属膜层，所述薄膜电路基板包含一正面、与所述正面相对的一反面以及连接于所述正面与所述反面之间的两两相对的四个侧壁，该些侧壁首尾相连；所述复合金属膜层包覆所述薄膜电路基板正面、反面以及一对相对的侧壁，该薄膜电路正面和反面通过该对相对的侧壁导通，所述复合金属膜层由内至外依次为TiW层、Au层，或TiW层、Ni层、Au层，或TaN层、TiW层、Au层，或TaN层、TiW层、Ni层、Au层。

优选的，所述TaN层的厚度为

优选的，所述TiW层的厚度为

优选的，所述Au层的厚度为2.0±0.5(μm)。

优选的，所述Ni层的厚度为1.0±0.3(μm)。

优选的，所述TaN层的纯度为99.9％。

优选的，所述TiW层的纯度为99.9％。

优选的，所述Ni层的纯度为99.9％。

优选的，所述Au层的纯度为99.99％。

优选的，所述薄膜电路基板包括预定数量的通孔，所述通孔从所述薄膜电路基板的正面贯穿至其反面，该些通孔具有内壁，所述内壁上也附着有所述复合金属膜层

本实用新型的有益效果：本实用新型提供的薄膜电路，其包括一薄膜电路基板和形成在所述薄膜电路基板上的一薄膜电路图形，所述薄膜电路图形包括一电镀膜层图形和位于所述电镀膜层图形下方的一复合金属膜层，所述复合金属膜层包覆所述薄膜电路基板的所述正面、所述反面以及所述一对相对的侧壁。本实用新型形成的侧壁包覆有复合金属膜层的薄膜电路与常规的薄膜电路相比，其正面和反面可通过该包覆有复合金属膜层的侧壁实现了联通导电，可很好的运用于某些特定的电子产品。

附图说明

图1是本实用新型实施例1提供的薄膜电路剖面图；

图2是本实用新型实施例2提供的薄膜电路剖面图；

图3是本实用新型实施例3提供的薄膜电路剖面图；

图4是本实用新型实施例4提供的薄膜电路剖面图；