[实用新型]一种高亮度侧镀倒装LED芯片

说明书

本实用新型公开了一种高亮度侧镀倒装LED芯片，包括衬底、发光结构、切割道、第一孔洞、第二孔洞、第一金属支撑层、第二金属支撑层、第一电极、第二电极、第一绝缘层、第二绝缘层和侧镀金属层，所述侧镀金属层覆盖在衬底和第二绝缘层的侧壁。本实用新型在衬底和发光结构的侧壁形成一层侧镀金属层，将芯片侧面发出的光线进行反射，使更多的光线从芯片的轴向发出，从而增加芯片的轴向出光量，防止芯片“漏蓝”，提高芯片的亮度，此外，还可以减少芯片的发光角度，提高光色纯度。

技术领域

本实用新型涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种高亮度侧镀倒装LED芯片。

背景技术

发光二极管(Light-Emitting Diode，LED)由于具有节能环保、安全耐用、光电转化率高、可控性强等特点，被广泛应用于显示器、汽车照明、通用照明等相关领域。

目前LED芯片结构主要分为正装、垂直与倒装三种，正装结构LED芯片由于P电极的存在会对芯片发出的光产生部分吸收，从而限制芯片的出光效率，正装结构的LED芯片通常以蓝宝石衬底作为导热通道，蓝宝石散热性能较差，热量无法及时散发出去，导致芯片结温过高，从而影响芯片的可靠性及使用寿命。而与正装结构相比，倒装结构却有着较佳的散热能力，通过共晶焊接技术可将倒装结构的LED芯片倒装到具有更高导热率的衬底上，加速热量的导出，其可靠性更高，使用寿命更长。除此之外，倒装结构的LED芯片还具有电流分布均匀、电压降低抗静电能力高等诸多的优点，因而近几年来倒装结构LED在照明领域得到了迅速的发展。然而倒装LED芯片在使用过程中会存在“漏蓝”现象，即部分光会从芯片侧面漏出，导致轴向出光减少，影响出光光色的纯度。尽管市面上现有的白墙封装工艺能够在一定程度上降低芯片侧面“漏蓝”，但是由于其工艺复杂及精密不可控等缺点导致芯片封装良率低、稳定性差，大大增加了生产成本。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题在于，提供一种高亮度侧镀倒装LED芯片，在发光结构的侧壁形成侧镀金属层，增加芯片的轴向出光，提高芯片亮度，并防止芯片“漏蓝”。

为了解决上述技术问题，本实用新型提供了一种高亮度侧镀倒装LED芯片，包括衬底、发光结构、切割道、第一孔洞、第二孔洞、第一金属支撑层、第二金属支撑层、第一电极、第二电极、第一绝缘层、第二绝缘层和侧镀金属层，所述发光结构包括依次设于衬底上的第一半导体层、有源层、第二半导体层、透明导电层和金属反射层，所述切割道位于发光结构的边缘，所述第一孔洞从金属反射层刻蚀至第一半导体层，所述第二孔洞从金属反射层刻蚀至第二半导体层的表面，所述第一绝缘层覆盖在发光结构的表面及侧壁，且延伸至第一孔洞和第二孔洞的侧壁，所述第一金属支撑层填充在第一孔洞内并延伸至第一绝缘层的表面，所述第二金属支撑层填充在第二孔洞内并延伸至第一绝缘层的表面，第一金属支撑层和第二金属支撑层相互绝缘，所述第二绝缘层覆盖在第一金属支撑层、第二金属支撑层、第一绝缘层的表面和侧壁，所述第一电极与第一金属支撑层连接，所述第二电极与第二金属支撑层连接，所述侧镀金属层覆盖在衬底和第二绝缘层的侧壁。

作为上述方案的改进，第二绝缘层的侧表面与衬底的侧表面齐平。

作为上述方案的改进，所述侧镀金属层由Ag或Al制成。

作为上述方案的改进，所述侧镀金属层的厚度为4000-18000埃。

作为上述方案的改进，第一金属支撑层和第二金属支撑层均由Cr、Ni、Al、Ti、Pt、Au、Ag和W中的一种制成。

作为上述方案的改进，第一电极和第二电极均由Cr、Ni、Al、Ti、Pt、Au和Sn中的一种制成。

作为上述方案的改进，第一绝缘层和第二绝缘层均由SiO₂、SiO_xN_y和SiN_x中的一种制成。

实施本实用新型，具有如下有益效果：