[实用新型]新型功率MOSFET器件

权利要求书

1.一种新型功率MOSFET器件，包括漏极金属区层、位于所述漏极金属区层上方的N+单晶硅衬底、位于所述N+单晶硅衬底上方的N-外延层、位于所述N-外延层上方的P型阱区层、位于所述P型阱区层上方的N+源极区、位于所述N+源极区上方的绝缘介质层、及位于所述绝缘介质层上方的源级金属区层，其特征在于，还包括：

沟槽，其穿过所述P型阱区层和所述N+源极区，延伸至所述N-外延层的内部；

栅氧化层，其包括第一栅氧化层和第二栅氧化层，所述第一栅氧化层与所述沟槽的内侧面和底端接触，所述第二栅氧化层位于所述N-外延层和所述P型阱区层的上方；

多晶硅层，其包括第一多晶硅层和第二多晶硅层，所述第一多晶硅层位于所述沟槽内，与所述第一栅氧化层接触，所述第二多晶硅层位于所述第二栅氧化层的上方，与所述第二栅氧化层接触；

接触孔，其穿过所述绝缘介质层和N+源极区，延伸至所述P型阱区层，所述接触孔的内部填充有金属。

2.如权利要求1所述的新型功率MOSFET器件，其特征在于，所述金属为金属层，所述金属层从下至上依次为金属钛粘结层、氮化钛阻挡层及钨金属层；

其中，所述金属层与所述P型阱区层及所述N+源极区接触，形成欧姆接触层，所述金属层与所述源极金属区层接触。

3.如权利要求1所述的新型功率MOSFET器件，其特征在于，所述第二栅氧化层和所述第二多晶硅层形成VDMOS栅极结构，所述沟槽位于两个所述VDMOS栅极结构的中间位置。

4.如权利要求3所述的新型功率MOSFET器件，其特征在于，所述接触孔位于所述VDMOS栅极结构和所述沟槽中间。

5.如权利要求1所述的新型功率MOSFET器件，其特征在于，所述绝缘介质层为二氧化硅层和氮化硅层中的一种或者两种。

6.如权利要求1所述的新型功率MOSFET器件，其特征在于，所述N+单晶硅衬底为高掺杂浓度的N+单晶硅衬底，所述N-外延层为低掺杂浓度的N-外延层。