[实用新型]掺铈溴化镧的制备装置有效
| 申请号： | 201822249925.6 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN209890761U | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 魏建德;佘建军;方声浩;叶宁;张志城 | 申请（专利权）人： | 厦门中烁光电科技有限公司;中国电子科技集团公司第二十六研究所 |
| 主分类号： | C30B29/12 | 分类号： | C30B29/12;C30B11/02 |
| 代理公司： | 11615 北京慧智兴达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李丽颖;韩龙 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市集美区*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低温区 高温区 本实用新型 全封闭式 制备装置 晶体的 水平炉 梯度区 溴化镧 坩埚 生长 | ||
【权利要求书】：
1.一种掺铈溴化镧的制备装置，其特征在于，包括：由高温区、低温区以及位于高温区与低温区之间的梯度区构成的水平炉，和用于生长晶体的全封闭式坩埚。
2.根据权利要求1所述的制备装置，其特征在于，所述全封闭式坩埚是非圆柱体，所述全封闭式坩埚是横截面为长方形或倒梯形的长方体。
3.根据权利要求1或2所述的制备装置，其特征在于，所述全封闭式坩埚的一边的边长大于待制备的掺铈溴化镧的对应边的边长从而形成一个生长的自由面。
4.根据权利要求1或2所述的制备装置，其特征在于，所述全封闭式坩埚采用石英制成。
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