[实用新型]一种MEMS结构有效
| 申请号： | 201822243225.6 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN209815676U | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 季锋;江为团;刘琛;闻永祥 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 11449 北京成创同维知识产权代理有限公司 | 代理人： | 冯丽欣 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 敏感膜片 岛状部 敏感电阻 空腔 压力集中 灵敏度 不均匀 衬底 半导体 申请 | ||
1.一种MEMS结构，其特征在于，包括：
位于半导体衬底中的空腔；
位于所述空腔上的敏感膜片；以及
位于所述敏感膜片中的多个敏感电阻；
其中，所述敏感膜片包括岛状部以及围绕所述岛状部的连接部，所述岛状部的厚度大于所述连接部的厚度，并且所述多个敏感电阻位于所述连接部。
2.根据权利要求1所述的MEMS结构，其特征在于，还包括围绕所述空腔的阱区。
3.根据权利要求2所述的MEMS结构，其特征在于，所述敏感膜片包括：
形成所述敏感膜片的岛状部框架的第三掺杂区；
形成所述敏感膜片的连接部框架的第五掺杂区；以及
位于所述第三掺杂区和所述第五掺杂区上的外延层，
其中，所述第三掺杂区和所述第五掺杂区形成网格图案，所述外延层覆盖所述第三掺杂区和所述第五掺杂区，并且填充所述网格图案的网孔以封闭所述空腔。
4.根据权利要求3所述的MEMS结构，其特征在于，所述第五掺杂区围绕所述第三掺杂区。
5.根据权利要求3所述的MEMS结构，其特征在于，所述多个敏感电阻为所述外延层中的掺杂区。
6.根据权利要求5所述的MEMS结构，其特征在于，还包括：
位于所述外延层上的层间介质层；以及
穿过所述层间介质层到达所述多个敏感电阻的互连。
7.根据权利要求6所述的MEMS结构，其特征在于，所述多个敏感电阻均匀分布于所述敏感膜片的连接部。
8.根据权利要求6所述的MEMS结构，其特征在于，所述多个敏感电阻互连成惠斯通电桥。
9.根据权利要求3所述的MEMS结构，其特征在于，所述半导体衬底和所述敏感电阻为第一掺杂类型，所述阱区、所述第三掺杂区和所述第五掺杂区为第二掺杂类型，所述第一掺杂类型与所述第二掺杂类型相反。
10.根据权利要求9所述的MEMS结构，其特征在于，所述第一掺杂类型为P型，所述第二掺杂类型为N型。
11.根据权利要求9所述的MEMS结构，其特征在于，所述阱区的结深大于所述第三掺杂区的结深，所述第三掺杂区的结深大于所述第五掺杂区的结深。
12.根据权利要求1所述的MEMS结构，其中，所述岛状部以及所述连接部为多个，所述岛状部与所述连接部间隔设置。
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