[实用新型]一种级联芯片封装结构

权利要求书

1.一种级联芯片封装结构，其特征在于，包括散热导电框架、第一芯片、第二芯片和导热基板，所述导热基板贴装在所述散热导电框架上，所述第二芯片贴装在所述导热基板上并与所述散热导电框架电气隔离，所述第一芯片贴装在所述散热导电框架上。

2.根据权利要求1所述的级联芯片封装结构，其特征在于，所述第一芯片为耗尽型芯片，所述第二芯片为增强型芯片，所述第一芯片与所述第二芯片之间形成Cascode级联。

3.根据权利要求1或2所述的级联芯片封装结构，其特征在于，所述导热基板靠近所述第二芯片的一侧表面设置有导电介质层，所述第二芯片贴装在所述导电介质层上，所述导电介质层与所述第一芯片电连接。

4.根据权利要求3所述的级联芯片封装结构，其特征在于，所述第二芯片的漏极正对所述导电介质层上，并贴设在所述导电介质层上以与所述导电介质层电连接，所述导电介质层与所述第一芯片的源极电连接。

5.根据权利要求3所述的级联芯片封装结构，其特征在于，所述第一芯片的栅极与所述第二芯片的源极电连接。

6.根据权利要求1所述的级联芯片封装结构，其特征在于，所述第一芯片的衬底贴装在所述散热导电框架上，且所述第一芯片的衬底具有金属电极，所述金属电极与所述散热导电框架电连接。

7.根据权利要求1或2所述的级联芯片封装结构，其特征在于，所述级联芯片封装结构还包括电极焊盘，所述电极焊盘包括栅极焊盘、源极焊盘和漏极焊盘，所述栅极焊盘与所述第二芯片的栅极电连接，所述源极焊盘与所述第二芯片的源极电连接，所述漏极焊盘与所述第一芯片的漏极电连接。

8.根据权利要求7所述的级联芯片封装结构，其特征在于，所述源极焊盘与所述第一芯片的栅极电连接。

9.根据权利要求7所述的级联芯片封装结构，其特征在于，所述源极焊盘与所述散热导电框架电连接。

10.根据权利要求7所述的级联芯片封装结构，其特征在于，所述栅极焊盘设置在所述散热导电框架靠近所述第二芯片的栅极的一侧，所述源极焊盘设置在所述散热导电框架靠近所述第二芯片的源极的一侧，所述漏极焊盘设置在所述散热导电框架靠近所述第一芯片的漏极的一侧。

11.根据权利要求7所述的级联芯片封装结构，其特征在于，所述栅极焊盘设置在所述第二芯片的栅极的上方，所述源极焊盘设置在所述第二芯片的源极的上方，所述漏极焊盘设置在所述第一芯片的漏极的上方。

12.根据权利要求1所述的级联芯片封装结构，其特征在于，所述导热基板采用高导热绝缘材料制成。

13.根据权利要求1所述的级联芯片封装结构，其特征在于，所述导热基板的击穿电压大于50V。

14.根据权利要求1所述的级联芯片封装结构，其特征在于，所述散热导电框架为金属框架。