[实用新型]一种晶硅太阳能电池用多层减反射膜结构有效
| 申请号: | 201822239506.4 | 申请日: | 2018-12-28 |
| 公开(公告)号: | CN210272379U | 公开(公告)日: | 2020-04-07 |
| 发明(设计)人: | 姚悦;张树德;魏青竹;倪志春;连维飞;胡党平 | 申请(专利权)人: | 苏州腾晖光伏技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/513 |
| 代理公司: | 苏州华博知识产权代理有限公司 32232 | 代理人: | 黄丽莉 |
| 地址: | 215542 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 太阳能电池 多层 减反射膜 结构 | ||
本实用新型公开了一种晶硅太阳能电池用多层减反射膜结构,包括:晶硅电池和氧化物层,所述晶硅电池和所述氧化物层之间设有一层、二层、三层或四层以上氮化硅层;可以制备低折射率的氧化物‑氮化硅多层减反射膜,调节多层膜的光学匹配,降低表面反射率至5%以内,因此,含低折射率氧化物多层减反射膜较常规氮化硅多层减反射膜具有更好的减反射效果,并且有利于晶硅电池对光线的利用率得到提升。
技术领域
本发明涉及太阳能晶硅电池技术领域,具体涉及一种晶硅太阳能电池用多层减反射膜结构。
背景技术
晶硅太阳能电池发展早期阶段主要依靠经典半导体扩散技术提高其本身效率,到上世纪末,表面制绒、丝网印刷、背钝化及退火技术发挥了关键作用,其降低生产成本,促进了光伏产业化。进入21世纪,依托各类高效电池技术,晶硅电池的效率大幅提升,其在全球光伏发电市场占有率约为90%。其中,优秀的减反射层是高效晶硅太阳能电池效率提升的可靠技术,它可增加晶硅电池的光吸收,使更多的光能转换为电能。
目前,晶硅太阳能电池正面减反射层主要结构为折射率约2.08的多层氮化硅薄膜,其平均反射率约为6%(300~1100nm光谱范围)。其中,短波段的入射光较容易经电池正表面反射,所以进一步减少前表面的光学反射可以使电池对光线的利用率得到提升。许多晶硅太阳能电池厂家尝试着不同材料反射膜和更精尖的镀膜设备的膜层改良,这些改良技术或多或少存在着材料成本增加和设备整体更新的高投入风险。
现有技术缺点:平均反射率大于5%,新工艺所需设备成本高。因此,亟待一种晶硅太阳能电池用多层减反射膜结构及其沉积方法的出现,可以制备低折射率的氧化物-氮化硅多层减反射膜,调节多层膜的光学匹配,降低表面反射率至5%以内,因此,含低折射率氧化物多层减反射膜较常规氮化硅多层减反射膜具有更好的减反射效果,并且有利于晶硅电池对光线的利用率得到提升。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明提出了一种晶硅太阳能电池用多层减反射膜结构,可以制备低折射率的氧化物-氮化硅多层减反射膜,调节多层膜的光学匹配,降低表面反射率至5%以内,因此,含低折射率氧化物多层减反射膜较常规氮化硅多层减反射膜具有更好的减反射效果,并且有利于晶硅电池对光线的利用率得到提升。
为了达到上述目的,本发明的技术方案如下:
一种晶硅太阳能电池用多层减反射膜结构,包括:晶硅电池和氧化物层,所述晶硅电池和所述氧化物层之间设有一层、二层、三层或四层以上氮化硅层。
本发明提供的一种晶硅太阳能电池用多层减反射膜结构及其沉积方法,可以制备低折射率的氧化物-氮化硅多层减反射膜,调节多层膜的光学匹配,降低表面反射率至5%以内,因此,含低折射率氧化物多层减反射膜较常规氮化硅多层减反射膜具有更好的减反射效果,并且有利于晶硅电池对光线的利用率得到提升。
在上述技术方案的基础上,还可做如下改进:
作为优选的方案,当氮化硅层为二层以上时,这二层呈垂直对称设置的氮化硅层为第一氮化硅层和第二氮化硅层。
作为优选的方案,所述晶硅电池和所述氧化物层之间设有第一氮化硅层,所述第一氮化硅层与所述氧化物层之间设有第二氮化硅层。
作为优选的方案,所述第一氮化硅层的折射率范围为2.30-2.45,所述第一氮化硅层厚度为15-20nm。
作为优选的方案,所述第二氮化硅层的折射率范围为2.00-2.10,所述第二氮化硅层厚度为40-45nm。
作为优选的方案,所述氧化物层的折射率范围为1.40-1.60,所述氧化物层厚度为15-20nm。
作为优选的方案,所述氧化物层为氧化硅薄膜、氧化铝薄膜或氧化钛薄膜中的任一种。
作为优选的方案,一种晶硅太阳能电池用多层减反射膜结构沉积方法,包括以下步骤:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





