[实用新型]一种电源接口防反插保护电路有效
申请号: | 201822238404.0 | 申请日: | 2018-12-29 |
公开(公告)号: | CN209786793U | 公开(公告)日: | 2019-12-13 |
发明(设计)人: | 张有刚;侍启山 | 申请(专利权)人: | 佳木斯市奥义智能科技有限公司 |
主分类号: | H02H11/00 | 分类号: | H02H11/00;H02H9/04 |
代理公司: | 11541 北京卓唐知识产权代理有限公司 | 代理人: | 唐海力 |
地址: | 154000 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 分压电阻 并联 串联 电源正负 电阻 本实用新型 电源接口 负载回路 功耗增加 过流能力 开启电压 输入电压 大电流 防反插 正负极 导通 分压 管子 接反 温升 电路 | ||
本实用新型提供了一种电源接口防反插保护电路,包括至少两个同类型的并联MOS管,串联的第一分压电阻R1和第二分压电阻R2;其中,所述串联的第一分压电阻R1和第二分压电阻R2连接于输入电压VDD和地DGND之间;第二分压电阻R2为所述至少两个同类型的并联MOS管的导通分压电阻,即第二电阻R2上得到的分压作为所述至少两个同类型的并联MOS管的开启电压;所述至少两个同类型的并联MOS管串联于电源正负接口与负载构成的回路,使得电源正负接口的正负极接反时,所述回路不能导通。与现有技术相比,本发明采用并联的MOS管与两个分压电阻相结合,增加了过流能力,避免了负载回路大电流流过单个MOS管而导致管子功耗增加产生温升而损坏。
技术领域
本实用新型涉及电子电路领域,特别涉及一种电源接口防反插保护电路。
背景技术
随着目前市场电子产品多样化,产品充电器较多,容易搞混用错,如果不进行电源反插保护,会对充电电路造成烧坏损失。每年因为客户误操作造成充电芯片烧坏和外部设备烧坏的案例很多,这不仅花费大量的人力去维修,电器使用不当造成火灾、还造成产品的大众用户体验不佳的影响。
专利“CN201721131475.X”公开了一种USB充电反插过压过流保护电路,如图1所示,该方案中,采用一个MOS管通过控制MOS管反插DC输入USB 充电输入电压、WS3205D限压等方式,以此来使DC输入充电隔离。解决电压搞错、线接反引起的烧板问题。然而,当系统流过单个MOS管的情况下,会导致管子功耗增加产生温升二损坏,适用范围较窄。
实用新型内容
本实用新型提供了一种电源接口防反插保护电路,具有防反插保护效果更好,适用范围更广的特点。
根据本实用新型提供的一种电源接口防反插保护电路,包括至少两个同类型的并联MOS管,串联的第一分压电阻R1和第二分压电阻R2;其中,所述串联的第一分压电阻R1和第二分压电阻R2连接于输入电压VDD和地DGND 之间;第二分压电阻R2为所述至少两个同类型的并联MOS管的导通分压电阻,即第二分压电阻R2上得到的分压作为所述至少两个同类型的并联MOS管的开启电压;所述第一分压电阻R1和第二分压电阻R2之间的阻值关系满足其中Ugs(th)为所述至少两个同类型的并联MOS管中的 MOS管导通开启阈值电压;所述至少两个同类型的并联MOS管串联于电源正负接口与负载构成的回路。
所述至少两个同类型的并联MOS管为至少两个并联的NMOS管。
所述至少两个同类型的并联MOS管为两个并联的NMOS管,包括第一 NMOS管Q1和第二NMOS管Q2;所述第一分压电阻R1的一端接输入电压 VDD,另一端与第二分压电阻R2的一端相连;所述第二分压电阻R2的另一端接地DGND;所述第一NMOS管Q1和第二NMOS管Q2的漏级相连接于电源正负接口的负极,源级相连接于第二分压电阻R2的另一端,栅极相连接于第一分压电阻R1和第二分压电阻R2之间。
还包括第一电容C1,与第二分压电阻R2并联。
还包括瞬态电压抑制器D1,并联于电源正负接口。
所述电源接口为电池接口。
所述输入电压为24V的输入电压。
与现有技术相比,本实用新型采用并联的MOS管与两个分压电阻相结合,增加了过流能力,避免了负载回路大电流流过单个MOS管而导致管子功耗增加产生温升而损坏。
附图说明
图1为现有技术其中一实施例的USB充电反插过压过流保护电路结构示意图。
图2为本实用新型其中一实施例的电源接口防反插保护电路结构示意图。
图3为本实用新型其中一实施例的电源接口防反插保护电路结构示意图。
具体实施方式
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