[实用新型]用于下降法晶体生长的承托机构有效

专利信息
申请号: 201822237525.3 申请日: 2018-12-28
公开(公告)号: CN209276670U 公开(公告)日: 2019-08-20
发明(设计)人: 魏建德;方声浩;佘建军;叶宁;张志诚 申请(专利权)人: 厦门中烁光电科技有限公司;中国电子科技集团公司第二十六研究所
主分类号: C30B11/00 分类号: C30B11/00
代理公司: 北京慧智兴达知识产权代理有限公司 11615 代理人: 韩龙;刘宝山
地址: 361000 福建省厦门市集美区*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 坩埚 承托 承托机构 晶体生长 下降法 下降炉 托杆 本实用新型 下降装置 低导热材料 空心圆柱形 承托装置 固定相连 间隙填充 上下移动 氧化锆球 晶体的 容置 温场 填充 生长 加工
【权利要求书】:

1.一种用于下降法晶体生长的承托机构,其特征在于,包括下降炉,下降炉内设置有承托碗,承托碗为空心圆柱形,承托碗的一端与托杆固定相连,托杆与下降装置相连;承托碗的另一端容置有坩埚,坩埚与承托碗的间隙填充有低导热材料,下降装置可通过托杆带动坩埚在下降炉内上下移动。

2.如权利要求1所述的用于下降法晶体生长的承托机构,其特征在于,承托碗包括第一空心圆柱体和第二空心圆柱体,第一空心圆柱体与第二空心圆柱体固定相连。

3.如权利要求2所述的用于下降法晶体生长的承托机构,其特征在于,第二空心圆柱体与托杆固定相连,托杆与下降装置相连,第一空心圆柱体容置有坩埚,坩埚与承托碗的间隙填充有低导热材料。

4.如权利要求2所述的用于下降法晶体生长的承托机构,其特征在于,坩埚包括竖直部与锥型部,竖直部与锥型部固定相连,锥型部容置在第一空心圆柱体内,第一空心圆柱体与锥型部之间的间隙填充低导热材料。

5.如权利要求1所述的用于下降法晶体生长的承托机构,其特征在于,低导热材料选用氧化锆球。

6.如权利要求5所述的用于下降法晶体生长的承托机构,其特征在于,坩埚与氧化锆球相连,坩埚与承托碗有间隙。

7.如权利要求1所述的用于下降法晶体生长的承托机构,其特征在于,下降炉为圆桶状,下降炉中间设置有空腔,承托碗设置在空腔中。

8.如权利要求7所述的用于下降法晶体生长的承托机构,其特征在于,下降炉包括高温区与低温区,高温区与低温区之间设置有隔热区,高温区设置在低温区上方。

9.如权利要求1所述的用于下降法晶体生长的承托机构,其特征在于,承托碗采用310S不锈钢制成。

10.如权利要求1所述的用于下降法晶体生长的承托机构,其特征在于,托杆的材料选用刚玉。

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