[实用新型]一种用于双玻光伏组件层压的保护装置有效
| 申请号: | 201822234645.8 | 申请日: | 2018-12-28 |
| 公开(公告)号: | CN209282217U | 公开(公告)日: | 2019-08-20 |
| 发明(设计)人: | 廉佳林;王华伟;王彦雷;申燕;刘攀;杜瑞芳 | 申请(专利权)人: | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/18 |
| 代理公司: | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人: | 李富元 |
| 地址: | 046000 山*** | 国省代码: | 山西;14 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 双玻光伏组件 中空长方形 层压 保护装置 本实用新型 对角线交点 上表面 下表面 太阳能电池 玻璃边缘 上层玻璃 上下表面 受力均匀 尺寸比 厚度比 光伏 连线 排出 残留 垂直 保证 | ||
本实用新型涉及光伏太阳能电池生产领域。一种用于双玻光伏组件层压的保护装置,整体成长方体的框架,该框架的上表面的中空长方形尺寸与双玻光伏组件的横截面尺寸相同,该框架的下表面的中空长方形尺寸比双玻光伏组件的横截面尺寸大10mm,该框架的上表面的中空长方形对角线交点与该框架的下表面的中空长方形对角线交点的连线垂直于该框架的上下表面,该框架的厚度比双玻光伏组件的厚度厚2mm。本实用新型保证上层玻璃层压时的受力均匀,避免了EVA内部的空气不能及时排出而在玻璃边缘处聚集,形成残留气泡。
技术领域
本实用新型涉及光伏太阳能电池生产领域。
背景技术
光伏市场的发展日趋迅猛,新结构、新工艺层出不穷,其中双玻组件以其独特的高耐候、高寿命、高电压等优点,受到大家的喜爱,同时也为高品质光伏电站提供了解决方案。
在双玻光伏组件生产制造过程中,我们发现层压后在组件边缘有很多的气泡,加上双玻组件无法返工的特性,导致双玻组件生产的产出率无法得到保证。
我们都知道光伏组件在层压过程中产生气泡的原因中,原材料与设备异常占主要问题,但在双玻光伏组件中,除了以上问题外,其独特的背面玻璃结构也会对层压效果造成影响。
由于双玻光伏组件的厚度大于常规光伏组件,在层压机内抽真空过程中,双玻光伏组件的受力点在背面玻璃的边缘,导致上层玻璃受力不均而发生形变,成“凸”形状态(见图5),双玻在四周区域贴合,形成密闭空间,导致EVA 内部的空气不能及时排出而在玻璃边缘处聚集,形成残留气泡。
发明内容
本实用新型所要解决的技术问题是:如何解决因为EVA 内部的空气不能及时排出而在玻璃边缘处聚集,形成残留气泡的问题。
本实用新型所采用的技术方案是:一种用于双玻光伏组件层压的保护装置,整体成长方体的框架,该框架的上表面的中空长方形尺寸与双玻光伏组件的横截面尺寸相同,该框架的下表面的中空长方形尺寸比双玻光伏组件的横截面尺寸大10mm,该框架的上表面的中空长方形对角线交点与该框架的下表面的中空长方形对角线交点的连线垂直于该框架的上下表面,该框架的厚度比双玻光伏组件的厚度厚2mm,该框架的下表面的中空长方形尺寸比双玻光伏组件的横截面尺寸大10mm是指:该框架的下表面的中空长方形的长度比双玻光伏组件的横截面的长度长10mm,该框架的下表面的中空长方形的宽度比双玻光伏组件的横截面的宽度宽10mm。
本实用新型的有益效果是:在放置上层玻璃时,首先将本实用新型保护装置扣在双玻光伏组件上,然后再放置上层玻璃,然后再进行层压,框架为刚性框架,在受力过程中不会向下移动,因此能够保证上层玻璃层压时的受力均匀,避免了EVA 内部的空气不能及时排出而在玻璃边缘处聚集,形成残留气泡。
附图说明
图1是本实用新型的主视图示意图;
图2是本实用新型的侧视图示意图;
图3是本实用新型的俯视图示意图;
图4是本实用新型的仰视图示意图;
图5是现有技术在层压过程中产生气泡示意图。
具体实施方式
本实用新型框架如图1-5所示,双玻光伏组件的大小为Xmm*Ymm*hmm,本实用新型上表面中空长方形尺寸为Xmm*Ymm,本实用新型下表面中空长方形尺寸为(X+10)mm*(Y+10)mm,本实用新型的厚度为(h+2)mm。本实用新型整体成长方体的框架,内部中空为四棱台状,本实用新型上下表面中空长方形对角线交点的连线垂直于上下表面。在层压前,将本实用新型保护装置扣在双玻光伏组件上,然后再放置上层玻璃,然后再进行层压,本实用新型保护装置的框架材料要求需经受200℃,因此需要是耐高温塑料或者金属。本实用新型保护装置可以避免/减少双玻光伏组件层压过程中四周气泡的产生。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





