[实用新型]薄膜晶体管基板及液晶显示面板有效
申请号: | 201822229955.0 | 申请日: | 2018-12-27 |
公开(公告)号: | CN209149025U | 公开(公告)日: | 2019-07-23 |
发明(设计)人: | 于靖;庄崇营;李林 | 申请(专利权)人: | 信利半导体有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1343;H01L27/12 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 王术兰 |
地址: | 516600 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电极结构 负载均衡 公共电极 薄膜晶体管基板 液晶显示面板 第二信号 基底制作 像素区 公共电极结构 电性连接 方向设置 交叉形成 同层设置 显示效果 像素单元 电阻 绝缘 相等 均衡 供电 分流 申请 | ||
本申请提供一种薄膜晶体管基板及液晶显示面板,包括基于基底制作沿不同方向设置的多条第一信号线和多条第二信号线,且第一信号线和第二信号线相互交叉形成多个像素区;分别位于不同像素区的像素单元;基于基底制作形成的公共电极,以及与第一信号线同层设置且相互绝缘的负载均衡电极结构,负载均衡电极结构与公共电极结构分别位于不同层且电性连接。在对公共电极供电时,由于负载均衡电极结构的电阻较小,因此可以实现通过各负载均衡电极结构进行分流,进而降低公共电极的负载,使公共电极的各部分电压趋于相等,进而使TFT‑LCD的各部分显示效果更均衡。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种薄膜晶体管基板及液晶显示面板。
背景技术
随着TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示器)行业的不断发展,用户对显示器的要求也越来越高。产品竞争力高的显示器必须具备品质优良、经济性、实用性等多方面优点。其中,品质的优点包括对比度高、清晰度高、广视角等;经济性的优点包括功耗低、使用成本低、生产成本低等;实用性的优点包括柔性、尺寸适中、能显示多种信息格式等。现有的TFT-LCD的显示方式是采用平面电场驱动液晶转动来控制光的透过量的方式进行显示的,其中,平面电场由电容形成,该电容的一极板是像素ITO,另一极板是公共电极,且公共电极作为参考电极。
发明人经研究发现,现有的公共电极覆盖整个显示平面,并通过驱动芯片控制该公共电极的电压,由于显示平面较大,公共电极需要进行透光,因此,公共电极的膜层厚度很薄,这会造成公共电极的电阻较大,从而使得公共电极各部位的电压不同,进而造成TFT-LCD显示效果不均衡。
实用新型内容
为了克服现有技术中的上述不足,本申请实施例的目的在于提供一种薄膜晶体管基板及液晶显示面板,以通过设置负载均衡电极结构并与公共电极电连接以有效降低公共电极的负载,使得公共电极的各部分电压趋于相等,以使TFT-LCD的各部分显示效果更均衡。
一种薄膜晶体管基板,包括:
基于一基底制作形成且分别沿不同方向延伸的多条第一信号线和多条第二信号线,所述第一信号线和第二信号线相互交叉设置形成多个像素区;
分别位于不同像素区的像素单元,其中,所述像素单元在所述基底上呈阵列分布,每一行像素单元与其中一条第二信号线连接,每一列像素单元与其中一条第一信号线连接;
基于所述基底制作形成的公共电极结构;以及
与所述第一信号线同层设置且相互绝缘间隔设置的负载均衡电极结构,该负载均衡电极结构与所述公共电极结构分别位于不同层并与该公共电极结构电性连接,以均衡该公共电极的负载。
可选的,在上述薄膜晶体管基板中,各所述负载均衡电极结构分别与所述第一信号线平行,且任意相邻两个负载均衡电极结构之间的距离相等。
可选的,在上述薄膜晶体管基板中,相邻两个负载均衡电极结构之间的距离与相邻两根第一信号线之间的距离相等。
可选的,在上述薄膜晶体管基板中,所述基底为透明基底,所述第二信号线制作于该透明基底的一侧,该第二信号线远离基底的一侧覆盖有第一绝缘层,所述第一信号线和所述负载均衡电极结构分别制作于该第一绝缘层远离第二信号线的一侧,该第一信号线和负载均衡电极结构远离所述第一绝缘层的一侧还覆盖有第二绝缘层,所述第二绝缘层与所述负载均衡电极结构的对应位置处设置有通孔,所述公共电极制作于该第二绝缘层远离所述第一信号线的一侧时通过所述通孔与所述负载均衡电极结构连接。
可选的,在上述薄膜晶体管基板中,所述第一绝缘层在每条负载均衡电极结构对应的位置分别开设多个间隔设置的通孔,且同一负载均衡电极结构对应的通孔中任意相邻两个通孔之间的距离相等。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信利半导体有限公司,未经信利半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201822229955.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。