[实用新型]一种导电石墨烯和银复合芳纶织物的编织结构有效
申请号: | 201822224117.4 | 申请日: | 2018-12-28 |
公开(公告)号: | CN209779110U | 公开(公告)日: | 2019-12-13 |
发明(设计)人: | 卓婷婷;辛斌杰;陈卓明;刘岩;何珊;许晋豪 | 申请(专利权)人: | 上海工程技术大学 |
主分类号: | D03D15/00 | 分类号: | D03D15/00;D02G3/04 |
代理公司: | 31227 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 | 代理人: | 胡永宏 |
地址: | 201620 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 导电石墨烯 芳纶织物 芳纶纱线 复合 纬纱 编织结构 编织组件 基体层 银薄膜 经纱 本实用新型 高精密设备 电磁防护 芳纶长丝 高压静电 经纬交织 石墨烯层 圆形夹层 正交结构 包覆层 单片层 石墨烯 基底 机织 可用 经纬 防护 | ||
本实用新型公开了一种导电石墨烯和银复合芳纶织物的编织结构,该结构至少包括一层编织组件,该编织组件为由经纱和纬纱机织而成的经纬正交结构;其中,经纱由若干根导电石墨烯和银复合芳纶纱线组成,纬纱由若干根导电石墨烯和银复合芳纶纱线组成,导电石墨烯和银复合芳纶纱线为圆形夹层结构,由内而外依次包括芳纶织物基体层、石墨烯单片层和银薄膜,芳纶织物基体层由若干芳纶长丝经纬交织排列而成;本编织结构采用芳纶织物作为基底、石墨烯层和银薄膜作为包覆层,可用于高精密设备的电磁防护或特殊环境的高压静电防护。
技术领域
本实用新型涉及功能纺织品领域,具体来说,涉及一种导电石墨烯和银复合芳纶织物的编织结构。
背景技术
芳纶具有超高强度、高模量、耐高温、耐酸耐碱、重量轻、绝缘、抗老化、生命周期长等优良性能,广泛应用于复合材料、防弹制品、建材、特种防护服装、电子设备等领域。
石墨烯自2004年被A.Geim和K.Novoselov发现以来,由于其独特的二维平面结构和优越的光学、电学特性等优点,成为近几年的研究热点之一,其优异的透光率、电子迁移率和导电率、力学性能和机械延展性、良好的热稳定性与化学稳定性,使其在光电子器件领域具有广泛的应用前景。
银具有优异的导电、杀菌、抗辐射、隔热保温等性能,广泛的应用于电子、电力作业防护、通讯、军工、航空航天、医疗器械等行业电磁防护。当前对石墨烯复合芳纶织物以及芳纶织物镀银膜的已有一定的研究,但将芳纶织物、石墨烯层和银膜三种物质复合到一起的制备的导电织物还鲜有研究,导电石墨烯/ 银复合芳纶织物同时具有芳纶、石墨烯、银三种物质的性能,因而具有广阔的应用前景,例如高精密设备的电磁防护、特殊环境的高压静电防护。
现有的制备导电织物工艺大致分为两类,一类是在化学纺丝阶段或者机械纺丝阶段引入导电成分(金属粉、金属丝等)以及使用本征导电高分子(聚吡咯、石墨烯等)进行溶液或熔融纺丝。这类方法对仪器依赖度高且工艺复杂,另外所制备的纺织品的柔软度不够,不易清洁。另一类则是采用后整理的方法,在纺织成品的表面沉积导电膜,有化学镀膜、蒸发镀膜、磁控溅射镀膜和化学气相沉积等镀膜方法。利用磁控溅射镀膜的方法在织物表面镀导电薄膜,使织物具有导电性,但是利用此方法的前提是,必须在表面连续的织物上进行,才能实现比较好的镀膜效果。本实用新型是经纬纱一上一下的交织形成的芳纶平纹织物,然后浸渍形成具有连续的石墨烯层的石墨烯芳纶织物上进行磁控溅射镀膜,平纹组织本身就是一中较为紧密平整的编织结构,所以更加能够保证芳纶织物基体的连续平整性,实现更佳的镀膜效果,提高织物的导电性。
实用新型内容
针对上述技术问题,本实用新型的目的在于提供一种导电石墨烯和银复合芳纶织物的编织结构,赋予芳纶织物编织结构优异的导电性,可用于高精密设备的电磁防护或特殊环境的高压静电防护。
本实用新型的技术方案为:
导电石墨烯和银复合芳纶织物的编织结构,至少包括一层编织组件,该编织组件为由经纱和纬纱机织而成的经纬正交结构,且所述经纱和所述纬纱呈90°垂直排列,为经一上一下交织而成的编织结构;其中,
所述经纱由导电石墨烯和银复合芳纶纱线组成;
所述纬纱由导电石墨烯和银复合芳纶纱线组成;
所述导电石墨烯和银复合芳纶纱线为圆形夹层结构,由内而外依次包括芳纶织物基体层、石墨烯单片层和银薄膜,所述芳纶织物基体层由若干根芳纶长丝经纬交织排列而成。
优选地,所述石墨烯单片层由若干石墨烯纳米片均匀排布并附着于所述芳纶织物基体层表面,且所述石墨烯纳米片穿插延伸于所述芳纶织物基体层内芳纶长丝间隙。
优选地,所述银薄膜为由若干银颗粒均匀排布成网状结构,附着于所述石墨烯单片层表面,且所述银颗粒部分嵌入所述石墨烯纳米片内并填充所述石墨烯纳米片的间隙。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海工程技术大学,未经上海工程技术大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201822224117.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。