[实用新型]一种压接式IGBT内部封装结构有效
| 申请号： | 201822222979.3 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN210073809U | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 王豹子;屈斌;叶娜;黄小娟 | 申请（专利权）人： | 西安中车永电电气有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/02 | 分类号： | H01L23/02;H01L23/10;H01L29/739 |
| 代理公司： | 61245 西安新动力知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 刘强 |
| 地址： | 710018 陕西省西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 碳化硅铝 压接式 芯片 焊接层 本实用新型 陶瓷管壳 封装 封装工艺 封装结构 高可靠性 上下表面 双面散热 金属层 流通 保证 | ||
【权利要求书】：
1.一种压接式IGBT内部封装结构，该结构封装于陶瓷管壳(8)内，其特征在于：包括IGBT/FRD芯片(2)和碳化硅铝层(9)，所述碳化硅铝层(9)位于IGBT/FRD芯片(2)的上、下两方，并且IGBT/FRD芯片(2)与碳化硅铝层(9)之间设置有焊接层(10)，所述IGBT/FRD芯片(2)的上下表面均设有金属层(11)。
2.根据权利要求1所述的一种压接式IGBT内部封装结构，其特征在于：所述金属层(11)为Al/Ti/Ni/Ag四层一体化金属层。
3.根据权利要求1所述的一种压接式IGBT内部封装结构，其特征在于：所述金属层(11)的厚度为2um～5um。
4.根据权利要求1、2或3所述的一种压接式IGBT内部封装结构，其特征在于：所述IGBT/FRD芯片(2)为Si基IGBT/FRD芯片。
5.根据权利要求1、2或3所述的一种压接式IGBT内部封装结构，其特征在于：所述焊接层(10)的焊料为锡铅银或纳米银。
6.根据权利要求1、2或3所述的一种压接式IGBT内部封装结构，其特征在于：碳化硅铝层(9)的焊接面镀有金属Ni。
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