[实用新型]一种新型充放电电路有效
申请号: | 201822222513.3 | 申请日: | 2018-12-28 |
公开(公告)号: | CN209282875U | 公开(公告)日: | 2019-08-20 |
发明(设计)人: | 金正文 | 申请(专利权)人: | 昆山通达测科电子科技有限公司 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00 |
代理公司: | 北京艾皮专利代理有限公司 11777 | 代理人: | 丁艳侠 |
地址: | 215300 江苏省苏州市昆山市玉山镇*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电容 连接线 运算放大器 电阻 芯片 充放电电路 本实用新型 接地 串联 场效应管串联 输出端串联 蓄电池串联 一次性设定 场效应管 电流设定 反向输入 输入端子 输出 传统的 输出端 并联 同向 | ||
本实用新型公开了一种新型充放电电路,包括芯片,芯片通过连接线与电容C5、电容C4和电容C3连接,并联的电容C5、芯片通过连接线和电阻R1串联,芯片的通过导线和电容C6串联后并接地,芯片通过连接线和第一运算放大器的同向输入端子连接,第一运算放大器的反向输入端子通过连接线与电阻R6和第二运算放大器的输出端串联,第一运算放大器的输出端通过导线与电阻R3和场效应管串联,场效应管与电阻SR1和蓄电池串联,第二运算放大器通过连接线接地。本实用新型相比传统的充放电电路增加了一组电阻和电容,该设计在Iset的电流设定输出的位置,从原来一次性设定改成分两次设定的设计,作用就在于延长Iset的设定输出时间,使设定过程变平缓。
技术领域
本实用新型涉及充放电电路技术领域,具体为一种新型充放电电路。
背景技术
在电池检测过程中,一般的充电器和负载器,在外部接这负载时,设定出电流的瞬间,都会产生一个过冲或低冲现象,我们称之为Overshoot,Overshoot现象会导致诸如电池MOSFET损坏失效、过电流检测失准等异常情况,需要尽量避免,否则容易造成被检产品的保护发生甚至损坏,传统方式采用通过电阻电容反馈速度调节来处理,虽有一定效果但是无法完全避免。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种新型充放电电路,旨在改善传统方式采用通过电阻电容反馈速度调节来处理有一定效果但是无法完全避免问题。
本实用新型是这样实现的:
一种新型充放电电路,包括芯片,芯片通过连接线与电容C5、电容C4和电容C3连接,并联的电容C5、电容C4和电容C3串联通过导线接地,芯片的通过连接线与电阻R1、电容C1串联后接地,芯片通过连接线和电阻R1串联,芯片的通过导线接地,芯片的通过导线和电容C6串联后并接地,芯片通过连接线和第一运算放大器的同向输入端子连接,第一运算放大器接入12V电源,第一运算放大器的反向输入端子通过连接线与电阻R6和第二运算放大器的输出端串联,第一运算放大器的输出端和第一运算放大器的反向输入端子之间连接的导线上串联有电阻R2和电容C8,第一运算放大器的输出端通过导线与电阻R3和场效应管串联,场效应管与电阻SR1和蓄电池串联,电阻SR1与电阻R4和电阻R5和第二运算放大器串联,第二运算放大器与电容C9串联接入12V电源,第二运算放大器通过连接线接地。
进一步的,芯片包括SYNC引脚、DIN引脚、CLR引脚、VDD引脚、LDAN引脚、GND引脚、VEF引脚和VoutA引脚。
进一步的,芯片的SYNC引脚、SLCK引脚和DIN引脚分别通过连接线与电容C5、电容C4和电容C3连接,芯片的CLR引脚通过连接线与电阻R1、电容C1串联后接地,芯片的VDD引脚通过连接线和电阻R1串联,芯片的LDAN引脚和GND引脚通过导线接地,芯片的VEF引脚通过导线和电容C6串联后并接地,芯片的VoutA引脚通过连接线和第一运算放大器的同向输入端子连接。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
本实用新型相比传统的充放电电路增加了一组电阻和电容,该设计在Iset的电流设定输出的位置,从原来一次性设定改成分两次设定的设计,作用就在于延长Iset的设定输出时间,使设定过程变平缓。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施方式的技术方案,下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本实用新型的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1是本实用新型第一实施例的一种新型充放电电路主视图;
图2是本实用新型第一实施例的一种新型充放电电路的输出波形图。
具体实施方式
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