[实用新型]一种单电源供电的双极性输入过压钳位及ESD保护电路有效
| 申请号： | 201822199476.9 | 申请日： | 2018-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN209626960U | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 张金箭;廖小海;郭亮杰;鲁文高;陈光毅;王慧;王恒彬 | 申请（专利权）人： | 北京遥测技术研究所;航天长征火箭技术有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/04 | 分类号： | H02H9/04 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 胡健男 |
| 地址： | 100076 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二极管 限流电阻 钳位 单电源供电 输入电压 输入过压 双极性 电路 正极 背靠背二极管 过压钳位保护 输入保护电路 数据采集系统 本实用新型 电压输出端 电压输入端 负极 电流限制 一端连接 源极接地 正极接地 接地 负极接 电阻 漏极 正向 电源 安全 | ||
1.一种单电源供电的双极性输入过压钳位及ESD保护电路，其特征在于包括：ESD防护模块、限流电阻、双向背靠背二极管；
ESD防护模块由NMOS管和电阻R1构成；双向背靠背二极管，包括：二极管DIODEN和二极管DIODEP；
NMOS管的栅极通过电阻R1接地GND；NMOS管的源极接地GND；NMOS管的漏极作为保护电路的电压输入端VIN，并连接限流电阻RLIM的一端，限流电阻RLIM的另一端连接二极管DIODEN的负极和二极管DIODEP的正极，并作为保护电路的电压输出端VOUT，二极管DIODEN的正极接地GND；二极管DIODEP的负极接电源VDD。
2.根据权利要求1所述的一种单电源供电的双极性输入过压钳位及ESD保护电路，其特征在于：NMOS管为HV-ggNMOS即栅极接地的高压NMOS管，当VDD为4.5V～5.5V时，NMOS管的漏极VIN端能够承受不超过20V的输入电压。
3.根据权利要求1所述的一种单电源供电的双极性输入过压钳位及ESD保护电路，其特征在于：NMOS管为HV-ggNMOS，当HV-ggNMOS的栅漏寄生电容在100fF～1pF时，电阻R1取值为10kΩ～20kΩ。
4.根据权利要求1所述的一种单电源供电的双极性输入过压钳位及ESD保护电路，其特征在于：限流电阻RLIM取值为10kΩ～15kΩ。
5.根据权利要求1所述的一种单电源供电的双极性输入过压钳位及ESD保护电路，其特征在于：二极管DIODEN的最大整流电流为0.5mA～2mA。
6.根据权利要求1所述的一种单电源供电的双极性输入过压钳位及ESD保护电路，其特征在于：二极管DIODEN的最大整流电流为0.5mA～2mA。
7.根据权利要求1所述的一种单电源供电的双极性输入过压钳位及ESD保护电路，其特征在于：外部输入信号VIN先经过ESD防护模块进行防护，再经过限流电阻RLIM与背靠背双向二极管构成的串联网络进行分压和过压钳位，得到输出信号VOUT，送至外部。
8.根据权利要求1所述的一种单电源供电的双极性输入过压钳位及ESD保护电路，其特征在于：电压输入端VIN的异常正电压超过电源VDD的电压。
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