[实用新型]组合传感器

说明书

本实用新型公开了一种组合传感器，其中，组合传感器包括基板，安装于基板内的第一ASIC芯片和第二ASIC芯片，设置于基板的第一引线板和第二引线板，安装于基板表面的第一MEMS芯片和第二MEMS芯片，第一MEMS芯片为电容式结构，第二MEMS芯片的工作电压为交流电压，第一MEMS芯片通过第一引线板与第一ASIC芯片电连接，第二MEMS芯片通过第二引线板与第二ASIC芯片电连接；第一MEMS芯片和第二引线板的最短距离为d1，d1≥0.3mm，第一引线板和第二引线板的最短距离为d2，d2≥1.2mm。该组合传感器具有能够减弱寄生电容效应，减小电磁感应，降低第一MEMS芯片的本底噪声的优点。

技术领域

本实用新型涉及传感器技术领域，特别涉及一种组合传感器。

背景技术

现有技术中，两个MEMS芯片和两个ASIC芯片封装形成组合传感器。其中，第一MEMS芯片是电容式的，工作偏压为直流电压，第二MEMS芯片的工作偏压为交流电压。由于该封装空间较为紧凑且第二ASIC用的是交流电信号，使得第一ASIC芯片与第二ASIC芯片的引线Pad区域之间以及第一ASIC芯片与第二ASIC芯片的引线Pad区域通过第一MEMS芯片形成寄生电容而产生了电磁感应，进而增大了第一MEMS芯片和第二MEMS芯片同时工作时第一MEMS芯片的本底噪声，从而影响了组合传感器的整体性能。

实用新型内容

本实用新型的主要目的是提出一种组合传感器，旨在解决MEMS芯片的本底噪声较大的技术问题。

为实现上述目的，本实用新型公开了一种组合传感器，其中，包括：

基板；安装于所述基板内的第一ASIC芯片和第二ASIC芯片；设置于所述基板的第一引线板和第二引线板；

安装于所述基板表面的第一MEMS芯片和第二MEMS芯片，所述第一MEMS芯片为电容式结构，所述第二MEMS芯片的工作电压为交流电压，所述第一MEMS芯片通过所述第一引线板与所述第一ASIC芯片电连接，所述第二MEMS芯片通过所述第二引线板与所述第二ASIC芯片电连接；

所述第一MEMS芯片和所述第二引线板的最短距离为d1，d1≥0.3mm，所述第一引线板和所述第二引线板的最短距离为d2，d2≥1.2mm。

优选地，所述第一MEMS芯片与所述第二MEMS芯片的最短距离的连线为a，所述第一引线板和所述第二引线板的最短距离的连线为b，a与b相交。

优选地，所述第一MEMS芯片与所述第二MEMS芯片并排设置，所述第一引线板和所述第二引线板分布在所述基板的同一对角线的两端。

优选地，所述第一MEMS芯片和所述第二引线板中的至少一者的体积小于预设体积，以能够增大所述第一MEMS芯片和所述第二引线板的最短距离d1。

优选地，所述第一引线板和所述第二引线板中的至少一者的体积小于预设体积，以能够增大所述第一引线板和所述第二引线板的最短距离d2。

优选地，所述第一MEMS芯片和所述第二引线板中的至少一者的体积小于预设体积，以能够增大所述第一MEMS芯片和所述第二引线板的最短距离d1，并且所述第一引线板和第二引线板中的至少一者的体积小于预设体积，以能够增大所述第一引线板和所述第二引线板的最短距离d2。

优选地，所述最短距离d1形成于所述第一MEMS芯片的侧面和所述第二引线板的侧面之间；所述最短距离d2形成于所述第一引线板的侧面和所述第二引线板的侧面之间。

优选地，所述第一MEMS芯片为麦克风芯片，所述基板面对所述麦克风芯片的位置设置有音孔。

优选地，所述组合传感器还包括罩壳，所述罩壳设于所述基板的上表面，所述罩壳与所述基板限定出封装腔；所述第一MEMS芯片和所述第二MEMS芯片设于所述封装腔内。