[实用新型]传感器的接口电路

权利要求书

1.一种传感器的接口电路，包括输入端子、输出端子、NPN型半导体开关管和PNP型半导体开关管，其特征在于，所述PNP型半导体开关管的发射极连接到供电电源，所述NPN型半导体开关管的发射极连接到参考地，所述NPN型半导体开关管的集电极和所述PNP型半导体开关管的集电极连接到所述输出端子；所述接口电路还包括电压比较单元，所述电压比较单元的输入端连接到所述输入端子以及基准电压、输出端分别连接到所述NPN型半导体开关管和PNP型半导体开关管的控制端，并根据所述输入端子电压与基准电压的比较结果输出使所述NPN型半导体开关管和所述PNP型半导体开关管中的一个导通的电平信号。

2.根据权利要求1所述的传感器的接口电路，其特征在于，所述电压比较单元包括第一电压比较子单元，所述第一电压比较子单元的输入端连接到所述输入端子以及基准电压、输出端连接到所述PNP型半导体开关管的控制端，并根据所述输入端子电压与基准电压的比较结果输出使所述PNP型半导体开关管导通或关断的电平信号。

3.根据权利要求2所述的传感器的接口电路，其特征在于，所述第一电压比较子单元包括第一运算放大器、第一电阻、第二电阻和第三电阻；其中，所述第一电阻分别连接所述输入端子和所述第一运算放大器的同相输入端；所述第二电阻分别连接所述第一运算放大器的同相输入端和输出端；所述第三电阻分别连接所述第一运算放大器的输出端和所述PNP型半导体开关管的控制端；所述第一运算放大器的反相输入端连接所述基准电压。

4.根据权利要求3所述的传感器的接口电路，其特征在于，所述基准电压包括第一基准电压，所述第一电压比较子单元包括用于产生所述第一基准电压的第一基准电压产生单元；所述第一基准电压产生单元包括第四电阻和第五电阻；所述第四电阻连接所述供电电源和所述第一运算放大器的反相输入端；所述第五电阻连接所述第一运算放大器的反相输入端和参考地。

5.根据权利要求1所述的传感器的接口电路，其特征在于，所述电压比较单元包括第二电压比较子单元，所述第二电压比较子单元的输入端连接到所述输入端子以及基准电压、输出端连接到所述NPN型半导体开关管的控制端，并根据所述输入端子电压与基准电压的比较结果输出使所述NPN型半导体开关管导通或关断的电平信号。

6.根据权利要求5所述的传感器的接口电路，其特征在于，所述第二电压比较子单元包括第二运算放大器、第六电阻、第七电阻和第八电阻；其中，所述第六电阻分别连接所述输入端子和所述第二运算放大器的同相输入端；所述第七电阻分别连接所述第二运算放大器的同相输入端和输出端；所述第八电阻分别连接所述第二运算放大器的输出端和所述NPN型半导体开关管的控制端；所述第二运算放大器的反相输入端连接所述基准电压。

7.根据权利要求6所述的传感器的接口电路，其特征在于，所述基准电压包括第二基准电压，所述第二电压比较子单元包括用于产生所述第二基准电压的第二基准电压产生单元；所述第二基准电压产生单元包括第九电阻和第十电阻；所述第九电阻连接所述供电电源和所述第二运算放大器的反相输入端；所述第十电阻连接所述第二运算放大器的反相输入端和参考地。

8.根据权利要求6所述的传感器的接口电路，其特征在于，所述NPN型半导体开关管为NPN三极管或NPN场效应管，所述PNP型半导体开关管为PNP三极管或PNP场效应管。