[实用新型]电子设备有效
申请号: | 201822183868.6 | 申请日: | 2018-12-25 |
公开(公告)号: | CN209045560U | 公开(公告)日: | 2019-06-28 |
发明(设计)人: | 李春阳 | 申请(专利权)人: | 陕西坤同半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/20 |
代理公司: | 西安亚信智佳知识产权代理事务所(普通合伙) 61241 | 代理人: | 杨亚会 |
地址: | 710000 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示区 电子设备 薄膜晶体管层 衬底基板 功能元件 有机发光功能层 显示面板 像素点 本实用新型 非显示区域 区域负荷 区域显示 全屏显示 显示区域 像素缺失 不均衡 屏体 挖槽 显示屏 | ||
本实用新型是关于一种电子设备。该电子设备包括:功能元件;显示面板,该显示面板包括:衬底基板;薄膜晶体管层,形成于所述衬底基板上;有机发光功能层,形成于所述薄膜晶体管层上,所述有机发光功能层包括第一显示区和第二显示区,所述第一显示区的像素点密度小于第二显示区的像素点密度;其中,所述功能元件设置于所述衬底基板远离所述薄膜晶体管层的一侧,且与所述第一显示区相对应。本公开方案不需要通过挖凹槽的方式在显示区域开出一块非显示区域来放置功能元件,解决了由于部分区域存在像素缺失,使得屏体不同区域负荷差异较大,容易造成挖槽区域显示不均衡的问题;同时增大了电子设备显示屏的屏占比,可以达到全屏显示的效果。
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,尤其涉及一种电子设备。
背景技术
全面屏技术和全面屏手机是时下最热门的技术之一,随着显示技术的进步,用户对显示屏的屏幕占比要求越来高。全面屏技术,是显示业界对于超高屏占比手机设计的一个比较宽泛的定义。从字面上解释就是手机的正面全部都是屏幕,手机的显示界面被屏幕完全覆盖,手机的四个边框位置都是采用无边框设计,追求接近100%的超高屏占比。但受限于手机前置摄像头、手机听筒、距离传感器和光线传感器等其他手机不可或缺的基本功能需要,目前,手机屏幕上方都需要留有一定缺口来安置上述功能部件,业界宣称的全面屏手机暂时只是超高屏占比的手机,并没有能做到手机正面屏占比100%的手机。
相关技术中,采用挖凹槽的方式,在显示区域开出一块非显示区域,用于放置摄像头,无论是采用挖槽的方式或者所谓的水滴屏设计,都不可避免的会损失显示区域,严重影响设计美学和消费者体验。并且,由于部分区域存在像素缺失,使得屏体不同区域负荷差异较大,容易造成挖槽区域的显示不均衡,影响产品良率。因此,有必要提供一种新的技术方案改善上述方案中存在的一个或者多个问题。
需要注意的是,本部分旨在为权利要求书中陈述的本实用新型的实施方式提供背景或上下文。此处的描述不因为包括在本部分中就承认是现有技术。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种电子设备,进而至少在一定程度上克服由于相关技术的限制和缺陷而导致的一个或者多个问题。
根据本实用新型实施例的第一方面,提供一种电子设备,包括:功能元件;显示面板,该显示面板包括:衬底基板;薄膜晶体管层,形成于上述衬底基板上;有机发光功能层,形成于上述薄膜晶体管层上,上述有机发光功能层包括第一显示区和第二显示区,上述第一显示区的像素点密度小于第二显示区的像素点密度;其中,上述功能元件设置于上述衬底基板远离上述薄膜晶体管层的一侧,且与上述第一显示区相对应。
本实用新型的实施例中,上述第一显示区与第二显示区不重叠。
本实用新型的实施例中,上述第一显示区与第二显示区的像素点密度比大于等于1/2。
本实用新型的实施例中,上述第一显示区为圆形。
本实用新型的实施例中,上述第一显示区的直径为3mm。
本实用新型的实施例中,上述薄膜晶体管层上设置有与每个像素点一一对应的像素单元驱动电路。
本实用新型的实施例中,上述像素驱动电路是7T2C像素驱动电路或2T1C像素驱动电路。
本实用新型的实施例中,上述功能元件为摄像头元件。
本实用新型的实施例中,上述第一显示区的大小根据上述摄像头元件的大小设置。
本实用新型的实施例中,上述第一显示区的像素点密度根据上述摄像头元件所需透光率设置。
本实用新型的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的