[实用新型]太阳能薄膜电池有效
申请号: | 201822181976.X | 申请日: | 2018-12-24 |
公开(公告)号: | CN210110797U | 公开(公告)日: | 2020-02-21 |
发明(设计)人: | 高立业 | 申请(专利权)人: | 北京汉能光伏投资有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/054;H01L31/0445 |
代理公司: | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人: | 喻嵘;郭迎侠 |
地址: | 101400 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能 薄膜 电池 | ||
本实用新型实施例公开了一种太阳能薄膜电池,包括透光的基底膜层、形成于基底膜层表面的薄膜主体,和设于所述基底膜层的变压器。所述薄膜主体包括高透光的透光层,所述变压器与所述薄膜主体电连接。该太阳能薄膜电池具有较高的透光性和光电转换能力。
技术领域
本实用新型涉及太阳能薄膜电池技术领域,具体涉及一种太阳能薄膜电池。
背景技术
太阳能薄膜电池发电的技术已经日趋成熟,但是目前太阳能薄膜电池的应用远没有达到它应有的范围。例如日常生活中,太阳能的应用还不是很广泛,这主要是由于目前市场上的太阳能薄膜电池的透光性较差,导致光转电的能力不足,且在使用时受环境因素制约,难以做到方便使用的效果,故存在一定的使用缺陷。
实用新型内容
本实用新型一技术方案提供一种太阳能薄膜电池,以解决现有太阳能薄膜电池不具有强透光能力的技术难题。
该技术方案提供的太阳能薄膜电池,包括:透光的基底膜层;形成于基底膜层表面的薄膜主体,所述薄膜主体包括高透光的透光层;以及设于所述基底膜层的变压器,所述变压器与所述薄膜主体电连接。
在该技术方案的一实施方式中,所述太阳能薄膜电池还包括透光孔,所述透光孔贯穿所述薄膜主体。
在该技术方案的一实施方式中,所述透光孔设于所述太阳能薄膜电池的相邻两条条纹图案的间隙,或所述透光孔位于所述太阳能薄膜电池的条纹图案。
在该技术方案的一实施方式中,所述透光层为氟塑膜层。
在该技术方案的一实施方式中,所述薄膜主体还包括防水层、用于将经所述透光层透射出的太阳光线进行光电转化以形成电流的产电层以及用于导出电流的导电层,所述变压器一端与所述导电层连接,另一端用于和外部设备连接。
在该技术方案的一实施方式中,所述产电层包括相互贴靠的非晶硅层和微晶硅层,所述透光层与产电层朝向基底膜层的一侧对应贴靠,所述导电层一侧与产电层背离基底膜层的一侧对应贴靠,另一侧与所述防水层对应贴靠。
在该技术方案的一实施方式中,所述导电层为导电铝膜;所述防水层为EVA密封层;所述非晶硅层至少包括叠层设置的F型层、I型层与N型层;所述微晶硅层至少包括叠层设置的P型层、I型层与N型层。
在该技术方案的一实施方式中,所述变压器表面设有用于防高温的石墨烯层,所述变压器及薄膜主体均通过热熔胶固定在所述基底膜层上。
在该技术方案的一实施方式中,所述薄膜主体还包括与基底膜层相对设置的玻璃基板层,所述透光层、产电层、导电层及防水层夹设于所述基底膜层与玻璃基板层之间。
在该技术方案的一实施方式中,所述薄膜主体还包括设于所述产电层与透光层之间的二氧化锡层。
在该技术方案的一实施方式中,所述变压器通过导线与所述导电层上电接部相连,所述变压器具有用于和外部设备连接的正极连接线及负极连接线,所述正极连接线与负极连接线均可拆卸式装设用于增强与所述外部设备间的连接稳定性的连接端子。
在该技术方案的一实施方式中,所述变压器表面设有用于防高温的石墨烯层,所述变压器及薄膜主体均通过热熔胶固定在所述基底膜层上。
与现有技术相比较,本实用新型实施例提供的太阳能薄膜电池设有具有透光孔的基底膜层,同时薄膜主体具有高透光性的透光层,大大提高了太阳能薄膜电池整体对光线的透射、吸收能力,使得光电转化能力得到大幅提升。
附图说明
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京汉能光伏投资有限公司,未经北京汉能光伏投资有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201822181976.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:光学信号装置
- 下一篇:一种蒸汽发生器蒸汽湿度测量系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的