[实用新型]一种新型芯片封装模块

说明书

本实用新型公开了一种新型芯片封装模块，包括散热板、铜基板、缓冲层、第一铜层、陶瓷基层、第二铜层和芯片；所述铜基板通过导热硅脂粘接在所述散热板上，所述缓冲层与铜基板的背散热板的端面连接，所述第一铜层与缓冲层的背铜基板的端面连接，所述陶瓷基层与第一铜层的背缓冲层的端面连接，所述第二铜层与陶瓷基层的背第一铜层的端面连接，所述芯片与第二铜层的背陶瓷基层的端面连接；所述缓冲层包括WCu60层、WCu40层和WCu20层，WCu60层、WCu40层和WCu20层的厚度均为0.1mm，且WCu60层、WCu40层和WCu0层沿铜基板向芯片依次叠装连接，WCu60层与铜基板连接，Wcu20层与第一铜层连接。本实用新型减小了缓冲层上下两端材料层的热应力梯度，避免了封装模块发生失效的现象。

技术领域

本实用新型涉及半导体芯片散热技术领域，具体涉及一种新型芯片封装模块。

背景技术

半导体功率芯片是一种功率半导体开关，其基本工作方式是功率开关循环，半导体功率芯片和多种不同材料层通过叠加封装成封装模块。然而，由于多层不同材料的材料性质不一样，各层材料的导热系数、比热容、泊松比以及热膨胀系数也不一样；当各层材料发生温度变化时，各层材料之间将产生热应力，如果缓冲层上下两端材料层的热应力超过允许值会诱发封装模块失效。

实用新型内容

针对上述问题，本实用新型提出一种新型芯片封装模块，减小了缓冲层上下两端材料层的热应力梯度，避免了封装模块发生失效的现象。

本实用新型提供了一种新型芯片封装模块，包括散热板、铜基板、缓冲层、第一铜层、陶瓷基层、第二铜层和芯片；所述铜基板通过导热硅脂粘接在所述散热板上，所述缓冲层与铜基板的背散热板的端面连接，所述第一铜层与缓冲层的背铜基板的端面连接，所述陶瓷基层与第一铜层的背缓冲层的端面连接，所述第二铜层与陶瓷基层的背第一铜层的端面连接，所述芯片与第二铜层的背陶瓷基层的端面连接；所述缓冲层包括WCu60层、WCu40层和WCu20层，WCu60层、WCu40层和WCu20层的厚度均为0.1mm，且WCu60层、WCu40层和WCu0层沿铜基板向芯片依次叠装连接，WCu60层与铜基板连接，Wcu20层与第一铜层连接。

优选地，所述陶瓷基层包括自陶瓷基层依次叠装第三铜层、陶瓷层和第四铜层，第三铜层与第一铜层连接，第四铜层与第二铜层连接。

优选地，所述散热板的背铜基板的端面设有多个等间距布置的散热翅片。

优选地，所述散热板的背铜基板的端面设有蛇形管，蛇形管的每个折弯空间内均对应配设有一个散热翅片。

优选地，所述蛇形管的两端设有进水连接口和出水连接口。

优选地，所述蛇形管采用铜质材料。

优选地，所述散热翅片采用铝质材料。

优选地，所述散热板采用铝质材料。

本实用新型具有如下的有益效果：

本实用新型通过将缓冲层分为沿铜基板向芯片依次叠装的WCu60层、WCu40层和WCu20层，WCu60层、WCu40层和WCu20层各层的热膨胀系数符合由铜基板向陶瓷基层方向依次减小的变化趋势，从而通过缓冲层起到了对缓冲层上下两端材料层的热应力缓冲过渡的作用，减小了缓冲层上下两端材料层的热应力梯度，避免了封装模块发生失效的现象。

附图说明

图1为本实施例的结构示意图；

图2为图1的仰视图；

附图标记：