[实用新型]多晶粒光学检测设备有效

专利信息
申请号: 201822181035.6 申请日: 2018-12-25
公开(公告)号: CN209387536U 公开(公告)日: 2019-09-13
发明(设计)人: 彭柏翰;林宏毅 申请(专利权)人: 旺矽科技股份有限公司
主分类号: G01N21/84 分类号: G01N21/84
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人: 关畅;王燕秋
地址: 中国台湾新*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 探针装置 静电放电 前置盒 光学检测设备 晶粒 本实用新型 节省空间 设备配置 设置位置 视觉模块 收光模块 讯号传输 检测 配置
【说明书】:

本实用新型涉及一种多晶粒光学检测设备,包含有一平台、至少二探针装置组、至少二静电放电前置盒、以及设置于高于各探针装置的位置的一调针视觉模块和一收光模块。各探针装置组包含有二探针装置,各探针装置设于平台。各静电放电前置盒的设置位置均高于平台,且至少一静电放电前置盒至少部分位于一探针装置的正上方。由此,多晶粒光学检测设备的配置节省空间,且接设于静电放电前置盒与探针装置之间的线路短,因此讯号传输质量良好、设备配置简洁,并可提高检测效率。

技术领域

本实用新型与用于检测诸如发光二极管(light-emitting diode;简称LED)等晶粒的光学特性的设备有关,特别是指一种用于同时检测多个晶粒的多晶粒光学检测设备。

背景技术

习用的多晶粒光学检测设备主要是在一平台上设有多个探针装置组、多个静电放电(electrostatic discharge;简称ESD)前置盒、一切换装置、一调针视觉模块,以及一收光模块。

探针装置组的数量及ESD前置盒的数量均与该设备要同时检测的晶粒数量相同,即,一受测晶粒对应一ESD前置盒及一探针装置组。各探针装置组包含有二探针装置,其探针分别用于点触同一晶粒的正、负极,各探针装置呈环形设置而围绕各晶粒。

调针视觉模块及收光模块设置于切换装置上而被架高于各探针装置上方,切换装置可带动调针视觉模块及收光模块沿一水平路径及一垂直路径位移,使得调针视觉模块可移动至各探针及各晶粒的正上方,以观测各探针的位置是否对应待测晶粒,而收光模块也可移动至各探针及各晶粒的正上方,以接收晶粒受探针点触而发出的光线进而检测各晶粒的光学特性。

各ESD前置盒内部设有一耐高压的水银继电器,连接于一ESD电路与一光学特性量测模块(LIV)之间,各ESD前置盒通过接设电线而分别与各探针装置组的探针电性连接,以将各探针切换成电性连接ESD电路或电性连接光学特性量测模块,各探针电性连接ESD电路时可传输静电突波至受测晶粒,如此一来,该设备即可检测晶粒在受到静电之后是否会改变其光学特性。

然而,由于调针视觉模块及收光模块分别采用具相当体积的光学显微镜及积分球,且其移动范围更需占用相当的空间,此外,ESD前置盒也因其内部构造复杂而具有相当的体积,且又必须让出切换装置的设置空间以及调针视觉模块及收光模块在切换装置上位移所需经过的空间,因此各EDS前置盒只能设置在调针视觉模块及收光模块的水平位移路径两端的前方与后方,因而位于接近平台外周的位置。如此一来,各ESD前置盒与各探针装置之间距离相当远而需接设相当长的电线,不但造成该检测设备配置复杂,也会降低讯号的传输质量。根据ESD波形的国际规范资料(JEDEC),ESD前置盒接设的电线越短越好,因此习用的线路长度明显不甚理想。此外,由于前述的装置及模块体积庞大且配置方式又很占空间,该检测设备难以增设更多探针装置组及其对应的ESD前置盒,因此难以增加可同时检测的晶粒数量而提高检测效率

发明内容

针对上述问题,本实用新型的主要目的在于提供一种多晶粒光学检测设备,其配置较节省空间,且接设于ESD前置盒与探针装置之间的线路较短,可降低设备的复杂性、改善传输讯号的质量,并可提高检测效率。

为达到上述目的,本实用新型所提供的一种多晶粒光学检测设备,其特征在于包含有:一平台;至少二探针装置组,各所述探针装置组包含有二探针装置,各所述探针装置设于所述平台;至少二静电放电前置盒,各所述静电放电前置盒的设置位置皆高于所述平台,且至少一所述静电放电前置盒至少部分位于一所述探针装置的正上方;一调针视觉模块及一收光模块,设置于高于各所述探针装置的位置。

上述本实用新型的技术方案中,还包含有一设于所述平台的切换装置,所述调针视觉模块及所述收光模块设于所述切换装置并能受所述切换装置带动而沿一实质上平行于所述平台的水平路径位移,各所述静电放电前置盒设置于所述水平路径两侧。

各所述静电放电前置盒的一纵长轴与所述水平路径之间有一呈锐角的夹角。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺矽科技股份有限公司,未经旺矽科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201822181035.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top