[实用新型]通电状态下电池片叠层的温度控制装置有效
申请号: | 201822177343.1 | 申请日: | 2018-12-24 |
公开(公告)号: | CN209119146U | 公开(公告)日: | 2019-07-16 |
发明(设计)人: | 张达奇;姚铮;熊光涌;吴坚;蒋方丹 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/052 | 分类号: | H01L31/052;H01L31/0525 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 杨金 |
地址: | 215000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 温度控制装置 本实用新型 电池片叠层 导电挡板 通电状态 相邻电池 测温件 电池片 工艺腔 开口槽 下电池 片叠 整体工艺 进风口 冷却风 排热口 热风 排出 外接 容纳 保证 | ||
本实用新型揭示了一种通电状态下电池片叠层的温度控制装置,所述温度控制装置定义了用于容纳电池片叠层的工艺腔,所述温度控制装置包括与所述工艺腔相连通并外接冷却风的进风口、用于排出热风的排热口,所述电池片叠层的两相邻电池片之间设有导电挡板,所述导电挡板上设有至少一个开口槽,所述温度控制装置还包括位于所述开口槽的测温件,且所述测温件均与所述两相邻电池片相面对。本实用新型提供的温度控制装置能准确地测定电池片内的温度,从而保证了电池片的整体工艺性能。
技术领域
本实用新型涉及一种通电状态下电池片叠层的温度控制装置。
背景技术
使用风冷冷却是一种可以调控电池片在通电自发热状态下温度的方法。温度是利用电注入方式对电池片进行缺陷钝化的关键参数。而在风冷状态下,电池片边缘温度会低于中心温度,如何有效评估并控制通电状态下电池片内温度均匀性是决定电注入效果的关键因素。常规方法使用红外测温方法,该方法只能获得电池片边缘的温度,在风冷状态下其温度会低于中心温度,使得电池片内温度均匀性无法得知,从而存在局部温度过高导致工艺失效的风险。
如图1所示,也有将测温件4置于电池片叠层6内部两相邻的电池片之间,而由于测温件4自身高度导致形成空隙,冷却风会直接作用于测温件4的位置处,从而导致测量温度偏低,根本无法反映紧密堆叠电池片的真实温度。且如图2所示,由于靠近边缘处的测温件更多的被冷风吹到,因此边缘比中心温度大约低18℃。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种通电状态下电池片叠层的温度控制装置,该温度控制装置能准确地测定电池片内的温度,从而保证了电池片的整体工艺性能。
为实现上述实用新型目的,本实用新型一实施方式提供一种通电状态下电池片叠层的温度控制装置,所述温度控制装置定义了用于容纳电池片叠层的工艺腔,其中,
所述温度控制装置包括与所述工艺腔相连通并外接冷却风的进风口、用于排出热风的排热口,所述电池片叠层的两相邻电池片之间设有导电挡板,所述导电挡板上设有至少一个开口槽,所述温度控制装置还包括位于所述开口槽的测温件,且所述测温件均与所述两相邻电池片相面对。
作为本实用新型一实施方式的进一步改进,所述导电挡板的厚度与所述测温件的高度相同或高于所述测温件的高度。
作为本实用新型一实施方式的进一步改进,所述导电挡板包括底部、均自所述底部并向所述底部的同一侧延伸的第一延伸部和第二延伸部,所述第一延伸部和第二延伸部相间隔设置,所述开口槽包括由所述底部、第一延伸部和第二延伸部定义的第一开口槽,所述测温件包括位于所述第一开口槽内的第一测温件。
作为本实用新型一实施方式的进一步改进,所述导电挡板还包括自所述底部延伸的第三延伸部,且所述第三延伸部和第二延伸部为所述底部的同一侧,第三延伸部和第二延伸部相间隔设置,所述开口槽还包括由所述底部、第二延伸部和第三延伸部定义的第二开口槽,所述测温件还包括位于所述第二开口槽内的第二测温件。
作为本实用新型一实施方式的进一步改进,所述第一开口槽和第二开口槽的延伸方向相平行,且所述第一开口槽和第二开口槽的大小相同。
作为本实用新型一实施方式的进一步改进,所述第一开口槽较邻近电池片的中心,所述第二开口槽较邻近电池片的侧边。
作为本实用新型一实施方式的进一步改进,所述测温件为接触式热电偶。
作为本实用新型一实施方式的进一步改进,所述导电挡板的材质选自铁、铜、石墨和硅片其中之一。
作为本实用新型一实施方式的进一步改进,所述导电挡板的材质与电池片的材质相同。
作为本实用新型一实施方式的进一步改进,所述导电挡板的外周与电池片的外周相平齐。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的