[实用新型]基于复合陷光结构的晶体硅太阳电池

权利要求书

1.一种基于复合陷光结构的晶体硅太阳电池，其特征在于，所述晶体硅太阳电池包括硅片及位于硅片表面的复合陷光结构，所述硅片包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面下方形成有PN结，所述复合陷光结构包括位于硅片第一表面上的介质层及位于介质层上或介质层内的金属纳米颗粒阵列层。

2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池，其特征在于，所述复合陷光结构包括位于硅片第一表面上的第一介质层、及位于第一介质层上的金属纳米颗粒阵列层。

3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池，其特征在于，所述复合陷光结构包括位于硅片第一表面上的第一介质层、位于第一介质层上的金属纳米颗粒阵列层、及位于金属纳米颗粒阵列层上的第二介质层。

4.根据权利要求2或3所述的晶体硅太阳电池，其特征在于，所述第一介质层包括SiN_x、SiO₂、SiO_xN_y、Al₂O₃、TiO₂中的一种或多种，第一介质层的厚度为1～100nm。

5.根据权利要求3所述的晶体硅太阳电池，其特征在于，所述第二介质层包括SiN_x、SiO₂、SiO_xN_y、Al₂O₃、TiO₂中的一种或多种，第二介质层的厚度为1～100nm。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的晶体硅太阳电池，其特征在于，所述金属纳米颗粒阵列层包括Ag、Cu、Au、Pt、Al纳米颗粒中的一种或多种，金属纳米颗粒的平均尺寸范围为1～200nm，金属纳米颗粒的平均间距为1～500nm。

7.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池，其特征在于，所述硅片为去除损伤层后第一表面具有微结构的硅片或通过制绒工艺在第一表面上形成有绒面结构的硅片。

8.根据权利要求1或7所述的晶体硅太阳电池，其特征在于，所述硅片为单晶硅片、类单晶硅片、多晶硅片或直接硅片，硅片的厚度范围为20μm～200μm。