[实用新型]带有防护装置的反应腔

说明书

本实用新型公开了一种带有防护装置的反应腔，包括：腔体和设置在腔体内的载板、喷淋装置及辅助装置；载板用于承载晶片；喷淋装置位于载板的上方；辅助装置位于载板的下方；腔体内还设置有防护装置，防护装置用于将载板的上方区域和下方区域分隔；和/或用于改变腔体内气体通道中气流的流动方向，以使气流经过薄膜生长区之外的区域，并限制薄膜生长区的气体与薄膜生长区之外的气体的交换。利用本实用新型，反应后的气体、副产品及其微粒由腔体上的排气口排出，从而对生长区之外的零部件进行防护，提高了产品的质量，同时提高了腔体内零部件的寿命，缩短了腔体内零部件的维护周期和维护成本。

技术领域

本实用新型涉及MOCVD设备，尤其涉及一种带有防护装置的反应腔。

背景技术

MOCVD(Metal-organic Chemical Vapor Deposition，金属有机物化学气相沉积)技术是以III族、II族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长的反应气体，以热分解反应方式在衬底上进行外延沉积工艺，生长各种III-V族、II-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的外延材料层，其中晶体生长的区域为生长区。

从气相中析出的固体的形态主要有下列几种：在固体表面上生成薄膜、晶须和晶粒，在气体中生成粒子。因为MOCVD设备的反应腔中，晶体生长使用的源是易燃、易爆、毒性很大的物质，并且在MOCVD设备进行工艺流程的反应过程中会产生副产品及其微粒，这些副产品及微粒的存在，不但影响产品质量、对反应腔造成污染、影响反应腔内零部件的寿命，还会影响后续的工艺流程。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种带有防护装置的反应腔，以解决现有技术中副产品和微粒容易对反应腔造成污染的问题，提高反应腔内零部件的寿命。

本实用新型提供了一种带有防护装置的反应腔，包括：腔体和设置在所述腔体内的载板、喷淋装置及辅助装置；

所述载板用于承载晶片；

所述喷淋装置位于所述载板的上方；

所述辅助装置位于载板下方，

其中，所述腔体内还设置有防护装置，所述防护装置用于将所述载板的上方区域和下方区域分隔；和/或用于改变腔体内气体通道中气流的流动方向，以使气流经过薄膜生长区之外的区域，并限制薄膜生长区的气体与薄膜生长区之外的气体的交换。

优选地，所述防护装置为环状板，与所述载板平行、具有间隙地设置在所述腔体内，且所述环状板将所述载板的上方区域与下方区域隔开。

优选地，所述防护装置包括横板和竖板；

所述横板、竖板均为环状，横板与所述载板平行，所述横板的内环与竖板相固定，所述横板与竖板相垂直且所述竖板分布于横板的两侧。

优选地，所述防护装置包括横板和竖板；

所述横板、竖板均为环状，所述横板与所述载板平行且具有间隙，所述竖板与横板相垂直且所述竖板固定在所述横板朝向所述载板的一侧面的中部。

优选地，还包括用于喷淋保护气体的第一喷淋管道，所述第一喷淋管道与腔体上的保护气体进气口相通，且所述第一喷淋管道位于所述喷淋装置的外侧上方。

优选地，所述辅助装置包括加热装置及冷却装置，所述加热装置位于所述载板下方；所述冷却装置位于所述加热装置下方；还包括用于喷淋保护气体的第二喷淋管道，所述第二喷淋管道与所述保护气体进气口相通，且所述第二喷淋管道均匀分布在所述冷却装置的下方。

优选地，所述喷淋装置上设置有第一通道，所述第一通道与腔体上的排气口相通。

优选地，所述第一通道设置在所述喷淋装置的外端。