[实用新型]一种物联网信息感知SOC芯片的射频模拟前端系统有效

专利信息
申请号: 201822168593.9 申请日: 2018-12-21
公开(公告)号: CN209375635U 公开(公告)日: 2019-09-10
发明(设计)人: 胡建国;吴劲;王德明;段志奎 申请(专利权)人: 广州智慧城市发展研究院
主分类号: H04B1/40 分类号: H04B1/40;H04B1/10;H04B1/04
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 胡辉;何文聪
地址: 510800 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 本实用新型 发射模块 接收模块 物联网信息 前端系统 射频模拟 感知 带通滤波模块 功率放大模块 天线匹配电路 副载波解调 时钟产生器 接收机 采样模块 可变信号 控制模块 邻道干扰 判定模块 四相时钟 芯片功耗 有效减少 有效实现 载波抵消 杂散 带宽 强弱 芯片 发射 应用
【权利要求书】:

1.一种物联网信息感知SOC芯片的射频模拟前端系统,其特征在于:包括发射模块、接收模块和LDO模块,所述发射模块包括ASK调制控制模块、功率放大模块和天线匹配电路,所述接收模块包括IQ时钟产生器、四相时钟采样模块、VGA与带通滤波模块、副载波解调模块和IQ路强弱判定模块,所述ASK调制控制模块的输出端通过功率放大模块进而与天线匹配电路的输入端连接,所述IQ时钟产生器的第一输出端与ASK调制控制模块的输入端连接,所述IQ时钟产生器的第二输出端依次通过四相时钟采样模块、VGA与带通滤波模块和副载波解调模块进而与IQ路强弱判定模块的输入端连接,所述LDO模块的输出端与四相时钟采样模块的电源输入端连接。

2.根据权利要求1所述的一种物联网信息感知SOC芯片的射频模拟前端系统,其特征在于:所述LDO模块包括启动电路、带隙基准电路、双电压域基准电流源转化电路、偏置电压产生电路和误差放大运算放大器,所述启动电路的输出端通过带隙基准电路、双电压域基准电流源转化电路和偏置电压产生电路进而与误差放大运算放大器的输入端连接。

3.根据权利要求2所述的一种物联网信息感知SOC芯片的射频模拟前端系统,其特征在于:所述启动电路包括第一PMOS管、第一NMOS管和第二NMOS管,所述第一PMOS管的源极与电源端连接,所述第一PMOS管的栅极与第二NMOS管的栅极连接,所述第一PMOS管的漏极分别与第一NMOS管的栅极和第二NMOS管的漏极相连接,所述第一NMOS管的源极和第二NMOS管的源极均与地连接,所述第一NMOS管的漏极和第二NMOS管的栅极均与带隙基准电路相连接。

4.根据权利要求3所述的一种物联网信息感知SOC芯片的射频模拟前端系统,其特征在于:所述带隙基准电路包括第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一三极管、第二三极管、第一电容和第一运算放大器,所述第二PMOS管的源极、第三PMOS管的源极和第四PMOS管的源极均与电源端连接,所述第二NMOS管的漏极分别与第二PMOS管的漏极、第一运算放大器的反相输入端和第一三极管的发射极相连接,所述第二NMOS管的漏极通过第一电阻进而与地连接,所述第一NMOS管的漏极分别与第二PMOS管的栅极、第三PMOS管的栅极、第四PMOS管的栅极和第一运算放大器的输出端相连接,所述第一运算放大器的同相输入端与第三PMOS管的漏极连接,所述第三PMOS管的漏极通过第二电阻进而与第二三极管的发射极连接,所述第三PMOS管的漏极通过第三电阻进而与地连接,所述第四PMOS管的栅极通过第一电容进而与地连接,所述第四PMOS管的漏极通过第四电阻进而与地连接,所述第四PMOS管的漏极与双电压域基准电流源转化电路的输入端连接,所述第一三极管的基极、第一三极管的集电极、第二三极管的基极和第二三极管的集电极均与地连接。

5.根据权利要求1所述的一种物联网信息感知SOC芯片的射频模拟前端系统,其特征在于:所述四相时钟采样模块包括去载波电路和增益放大器,所述IQ时钟产生器的第二输出端依次通过去载波电路和增益放大器进而与VGA与带通滤波模块相连接。

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