[实用新型]一种多晶硅CVD反应器

权利要求书

1.一种多晶硅CVD反应器，所述多晶硅CVD反应器包括底盘和罩体，罩体连接在底盘上且在罩体与底盘之间限定出反应器内腔，其特征在于，所述反应器内腔中设有偶数个电极，所述电极按规律布置在所述底盘上，所述电极上连接有设置为竖直方向的硅管，每对电极上的硅管通过一设置为水平方向的硅管连接，竖直方向的硅管与水平方向的硅管圆滑过渡连接，所述底盘下设有双层进气系统和排气系统，所述罩体顶部设有预热系统，所述底盘上设有多个进气喷嘴，所述双层进气系统包含双层进气环管和与双层进气环管相连的多个进气管，所述进气管分别与多个喷嘴一一对应连接，所述底盘上设有多个出气口，所述排气系统包括出气盘管和与出气盘管相连的多个出气管，所述出气管分别与多个出气口一一对应连接，所述底盘上设有冷却水流道，所述冷却水流道包括设于底盘中心的进水口和多个排水口，所述排水口与多个出气口一一对应设置。

2.根据权利要求1所述的多晶硅CVD反应器，其特征在于，所述电极共有n对,其中n大于等于1，在底盘上呈多圈环形周期分布，其中内两圈上相邻电极之间的距离相等，外三圈上相邻电极之间的距离相等。

3.根据权利要求2所述的多晶硅CVD反应器，其特征在于，所述进气喷嘴分布于底盘中心位置以及各圈电极之间。

4.根据权利要求1所述的多晶硅CVD反应器，其特征在于，所述罩体内设有高温水冷却腔，所述高温水冷却腔连接有高温冷却水进口和高温冷却水出口，所述高温冷却水进口位于所述罩体的底部，所述高温冷却水出口位于所述罩体的顶部。

5.根据权利要求1所述的多晶硅CVD反应器，其特征在于，所述硅管横截面为圆环形。

6.根据权利要求1至5之一所述的多晶硅CVD反应器，其特征在于，所述排水口连接有低温冷却管。

7.根据权利要求6所述的多晶硅CVD反应器，其特征在于，所述出气口连接有低温冷却尾气管。

8.根据权利要求7所述的多晶硅CVD反应器，其特征在于，所述预热系统通过法兰固定在所述反应器顶部。