[实用新型]PERC电池结构

说明书

本实用新型提供了一种PERC电池结构，包括：衬底、正面二氧化硅层、抗反射层、正面氮化硅层、背面钝化层，以及保护结构；所述正面二氧化硅层设于所述衬底的正面，所述抗反射层设于所述正面二氧化硅层的与所述衬底相背的一侧，所述正面氮化硅层设于所述抗反射层的与所述正面二氧化硅层相背的一侧。本实用新型可便于具有良好的SiO₂/Si界面性能，且正面所形成的SiO₂/SiN_x可作为双层减反钝化膜，进而有效改善硅片的表面钝化。本实用新型通过抗反射层，可在正面钝化的基础上，进一步减少光的反射作用。

技术领域

本实用新型涉及光伏发电领域，尤其涉及一种PERC电池结构。

背景技术

PERC电池，可理解为一种钝化发射极和背面电池，PERC具体可以为PassivatedEmitterand Rear Cell，其为电池的一种结构。

随着太阳能电池结构设计和工艺水平的不断提高，良好的表面钝化成为制备高效电池必不可少的条件。目前常规电池的生产中主要是利用PECVD沉积SiNx膜作为钝化减反射膜，SiNx膜具有优良的氢钝化和减反射作用，但是SiNx膜与Si的晶格匹配性较差，导致SiNx/Si界面缺陷密度较高。

实用新型内容

本实用新型提供一种PERC电池结构，以解决SiNx/Si界面缺陷密度较高的问题。

根据本实用新型的第一方面，提供了一种PERC电池结构，包括：衬底、正面二氧化硅层、抗反射层、正面氮化硅层、背面钝化层，以及保护结构；

所述正面二氧化硅层设于所述衬底的正面，所述抗反射层设于所述正面二氧化硅层的与所述衬底相背的一侧，所述正面氮化硅层设于所述抗反射层的与所述正面二氧化硅层相背的一侧；

所述背面钝化层设于所述衬底的背面，所述保护结构设于所述背面钝化层的与所述衬底相背的一侧。

可选的，所述抗反射层为氮氧化硅层。

可选的，所述氮氧化硅层的厚度的取值范围为5-20纳米。

可选的，所述正面二氧化硅的厚度的取值范围为5-20纳米。

可选的，所述正面氮化硅层的厚度的取值范围为60-90纳米，所述正面氮化硅层的折射率的取值范围为1.9-2.2。

可选的，所述背面钝化层为氧化铝层。

可选的，所述氧化铝层的厚度的取值范围为5-30纳米。

可选的，所述保护结构包括背面二氧化硅层与背面氮化硅层；

所述背面二氧化硅层设于所述背面钝化层的与所述衬底相背的一侧，所述背面氮化硅层设于所述背面二氧化硅层的与所述背面钝化层相背的一侧。

可选的，所述背面二氧化硅层的厚度的取值范围为3-5纳米。

可选的，所述背面氮化硅层的厚度的取值范围为50-150纳米。

本实用新型提供的PERC电池结构，通过在正面氮化硅层与硅的衬底之间设置正面二氧化硅层与抗反射层，可避免氮化硅直接制作于硅避免，进而，不会因晶格匹配性较差而导致SiN_x/Si界面缺陷密度较高的情况，本实用新型可便于具有良好的SiO₂/Si界面性能，且正面所形成的SiO₂/SiN_x可作为双层减反钝化膜，进而有效改善硅片的表面钝化。

同时，本实用新型还在正面氮化硅与正面二氧化硅之间设置抗反射层，其具体可以为氮氧化硅层，其可在正面钝化的基础上，进一步减少光的反射作用。

附图说明