[实用新型]利用恒定磁场的污水处理设备有效

专利信息
申请号: 201822157478.1 申请日: 2018-12-21
公开(公告)号: CN209507727U 公开(公告)日: 2019-10-18
发明(设计)人: 邱建贺;翁雯 申请(专利权)人: 佛山市玉凰生态环境科技有限公司
主分类号: C02F3/12 分类号: C02F3/12;C02F3/34;C02F101/30
代理公司: 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 代理人: 陈志超;黄家豪
地址: 528200 广东省佛山市南海区桂城街*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 第二金属层 第一金属层 磁体板 污水处理设备 恒定磁场 上表面 下表面 本实用新型 水平分隔板 上反应腔 上下排列 下反应腔 组件包括 沉淀池 汇流室 出水 腔体
【说明书】:

实用新型提供了一种利用恒定磁场的污水处理设备,包括:沉淀池、第一反应容器组件、第二反应容器组件以及出水汇流室;所述第一反应容器组件包括第一箱体、第一反应容器、第一金属层、第二金属层、第一磁体板以及第二磁体板;所述第一金属层以及第二金属层分别相对地设置于该第一箱体内的上表面以及下表面,第一反应容器设置于所述第一箱体内并位于所述第一金属层与所述第二金属层之间,第一磁体板设置于所述第一反应容器的上表面与所述第一金属层之间,第二磁体板设置于所述第一反应容器的下表面与所述第二金属层之间;第一反应容器内设置有一第一水平分隔板以将所述第一反应容器内的腔体分成上下排列的第一上反应腔和第一下反应腔。

技术领域

本实用新型涉及污水理领域,具体涉及一种利用恒定磁场的污水处理设备。

背景技术

城市中生活污水产生量大、排放集中、影响人口多、范围广。对集中排放的城市污水进行净化处理对于全国污染物排放量的消减和水环境质量的改善具有十分重要的作用。污水处理标准日益提高,我国在《国务院关于落实科学发展观加强环境保护的决定》中提出,全国城市生活污水处理率不得低于70%。生活污水包括冲厕排水、厨房排水、洗衣排水、泳池排污水及淋浴和盥洗排水,污水中含有大量的有机污染物和无机污染物,会对环境造成极大危害。

《低强度磁场对污水处理的效应研究》(朱雪松,哈尔滨工业大学工学硕士学位论文,2009),该论文中提到了采用序批式活性污泥法工艺,应用几组永磁铁作为磁场发生装置,以磁感应强度、磁场位型等作为调节参数,以zeta电位,污泥好氧速率以及脱氢酶活性作为污泥胶体稳定性及活性评价指标,系统地研究了磁化处理、磁场作用形式及磁场强度等因素对活性污泥的性质及其降解污染物效率的影响。该研究结果表明,在一定强度的磁场作用下,水中污染物COD、氨氮以及硝氮的去除率有所提高,当磁场强度介于90~120mT之间时,COD去除效果明显提高,而当磁感应强度处于30~60mT之间时,对氨氮的去除有促进作用。磁场对好氧反硝化过程作用比较明显,从0~150mT范围内,随着磁场强度的增加,硝氮的去除率也有逐渐上升趋势。

由此可见,不同磁场强度对于不同的污染物的去除率的影响是不相同,如何利用不同的磁场强度来提高污水的净化效率成为一个急需解决的问题。

实用新型内容

本实用新型提供了一种利用恒定磁场的污水处理设备,包括:沉淀池、第一反应容器组件、第二反应容器组件以及出水汇流室;

所述第一反应容器组件包括第一箱体、第一反应容器、第一金属层、第二金属层、第一磁体板以及第二磁体板; 所述第一金属层以及第二金属层分别相对地设置于该第一箱体内的上表面以及下表面,所述第一反应容器设置于所述第一箱体内并位于所述第一金属层与所述第二金属层之间,所述第一磁体板设置于所述第一反应容器的上表面与所述第一金属层之间,所述第二磁体板设置于所述第一反应容器的下表面与所述第二金属层之间;所述第一反应容器内设置有一第一水平分隔板以将所述第一反应容器内的腔体分成上下排列的第一上反应腔和第一下反应腔;

所述第二反应容器组件包括第二箱体、第二反应容器、第三金属层、第四金属层、第三磁体板以及第四磁体板;所述第三金属层以及第四金属层分别相对地设置于该第二箱体内的上表面以及下表面,所述第二反应容器设置于所述第二箱体内并位于所述第三金属层与所述第四金属层之间,所述第三磁体板设置于所述第二反应容器的上表面与所述第三金属层之间,所述第四磁体板设置于所述第二反应容器的下表面与所述第四金属层之间;所述第二反应容器内设置有一第二水平分隔板以将所述第二反应容器内的腔体分成上下排列的第二上反应腔和第二下反应腔;

所述第一上反应腔以及所述第一下反应腔内设有用于吸附第一污染物的第一活性污泥,所述第二上反应腔以及所述第二下反应腔内设有用于吸附第二污染物的第二活性污泥;

所述第一上反应腔以及所述第二上反应腔分别与所述沉淀池的出水口连通,所述第一上反应腔与所述第二下反应腔连通,所述第二上反应腔与所述第一下反应腔连通;

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