[实用新型]一种IGBT模块有效

专利信息
申请号: 201822154196.6 申请日: 2018-12-20
公开(公告)号: CN209087837U 公开(公告)日: 2019-07-09
发明(设计)人: 郭新华;傅金源;金宇航;黄珂 申请(专利权)人: 浙江芯丰科技有限公司
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L23/498
代理公司: 浙江翔隆专利事务所(普通合伙) 33206 代理人: 罗莎
地址: 318000 浙江省台州市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 铜箔 键合线 下桥 阳极 发射极 上桥 封装结构 功率器件 横向布置 纵向布置 电连接 铜箔层 本实用新型 分割槽 上表面 基板 串联
【权利要求书】:

1.一种IGBT模块,包括外壳(1)和三块位于外壳(1)内从左到右间隔布置的DBC单元(2),每个DBC单元(2)均包括DBC基板(21)、两个IGBT芯片(22)和两个FRD芯片(23),所述IGBT芯片(22)的上表面具有栅极和发射极、下表面为集电极,所述FRD芯片(23)的上表面为阳极、下表面为阴极,所述DBC基板(21)的上表面具有铜箔层(3),其特征在于,每个铜箔层(3)上均开设有两个分割槽(4),两个分割槽(4)将铜箔层(3)分割成相互独立的铜箔一(31)、下桥铜箔(32)和上桥铜箔(33),所述铜箔一(31)、下桥铜箔(32)和上桥铜箔(33)从前到后依次间隔设置,三个铜箔一(31)之间、三个下桥铜箔(32)之间以及三个上桥铜箔(33)之间均通过沿横向布置的键合线串联;所述下桥铜箔(32)和上桥铜箔(33)均固定有所述IGBT芯片(22)、FRD芯片(23),并且与相应IGBT芯片(22)的下表面、相应FRD芯片(23)的下表面焊接,位于同一个铜箔上的IGBT芯片(22)的发射极与FRD芯片(23)的阳极通过沿横向布置的键合线连接;所述下桥铜箔(32)上的IGBT芯片(22)的发射极和FRD芯片(23)的阳极均通过沿纵向布置的键合线与铜箔一(31)电连接,所述上桥铜箔(33)上的IGBT芯片(22)的发射极和FRD芯片(23)的阳极均通过沿纵向布置的键合线与下桥铜箔(32)电连接。

2.根据权利要求1所述的一种IGBT模块,其特征在于,所述铜箔层(3)呈矩形状,位于下桥铜箔(32)与上桥铜箔(33)之间的分割槽(4)包括从左到右依次设置的横槽一(41)、纵槽一(42)、横槽二(43)、纵槽二(44)、横槽三(45)、纵槽三(46)和横槽四(47),所述纵槽一(42)的前端连通横槽一(41)、后端连通横槽二(43),所述纵槽二(44)的前端连通横槽二(43)、后端连通横槽三(45),所述纵槽三(46)的前端连通横槽三(45)、后端连通横槽四(47);下桥铜箔(32)上的IGBT芯片(22)位于下桥铜箔(32)的上表面的右侧并与横槽三(45)对应,下桥铜箔(32)上的FRD芯片(23)位于下桥铜箔(32)的上表面的左侧并与横槽二(43)对应,上桥铜箔(33)上的IGBT芯片(22)位于上桥铜箔(33)的上表面的左侧并与横槽二(43)对应,上桥铜箔(33)上的FRD芯片(23)位于上桥铜箔(33)的上表面的右侧并与横槽三(45)对应。

3.根据权利要求2所述的一种IGBT模块,其特征在于,三个下桥铜箔(32)相邻的端部与端部之间通过沿横向布置的键合线连接,所述外壳(1)的右端具有两个公用母线端子(5),位于右侧的下桥铜箔(32)的右端分别通过沿横向布置的键合线与两个公用母线端子(5)连接;所述外壳(1)的左端具有上桥正极母线电压端子(6),位于左侧的上桥铜箔(33)的左端通过沿横向布置的键合线与上桥正极母线电压端子(6)连接,三个上桥铜箔(33)相邻的端部与端部之间通过沿横向布置的键合线连接。

4.根据权利要求1或2所述的一种IGBT模块,其特征在于,位于下桥铜箔(32)与铜箔一(31)之间的分割槽(4)包括从左到右依次设置的横槽五(48)、纵槽四(49)、横槽六(40)、纵槽五(401)和横槽七(402),所述纵槽四(49)的前端连通横槽六(40)、后端连通横槽五(48),所述纵槽五(401)的前端连通横槽六(40)、后端连通横槽七(402);所述外壳(1)的左端具有下桥母线电压端子(7),位于左侧的铜箔一(31)的左端与下桥母线电压端子(7)通过沿横向布置的键合线连接,三个相邻的铜箔一(31)的端部与端部之间通过沿横向布置的键合线连接。

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