[实用新型]高功率密度低速大扭矩电机控制器有效
申请号: | 201822150872.2 | 申请日: | 2018-12-20 |
公开(公告)号: | CN209088857U | 公开(公告)日: | 2019-07-09 |
发明(设计)人: | 张华;王顺伟;李志阔;唐勇斌;揭军 | 申请(专利权)人: | 航天科工智能机器人有限责任公司 |
主分类号: | H02P29/00 | 分类号: | H02P29/00 |
代理公司: | 北京鼎承知识产权代理有限公司 11551 | 代理人: | 韩德凯;李伟波 |
地址: | 100074 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 隔离驱动电路板 功率驱动装置 隔离型 全桥 低速大扭矩电机 脉宽调制信号 控制电路板 控制器 高功率 调制信号 隔离放大 驱动电机 输出脉宽 导通 关断 运转 配置 | ||
1.一种高功率密度低速大扭矩电机控制器,其特征在于,包括:
控制电路板,输出脉宽调制信号至隔离型功率驱动装置;以及
隔离型功率驱动装置,与所述控制电路板连接,基于所述脉宽调制信号驱动电机运转;
其中,隔离型功率驱动装置包括全桥MOSFET装置和隔离驱动电路板;
所述隔离驱动电路板配置在全桥MOSFET装置内部;
所述隔离驱动电路板隔离放大所述脉宽调制信号,控制全桥MOSFET装置的导通和关断。
2.根据权利要求1所述的控制器,其特征在于,
所述隔离驱动电路板包括板载连接器;
所述隔离驱动电路板通过板载连接器与所述控制电路板进行信号传递。
3.根据权利要求2所述的控制器,其特征在于,
所述板载连接器的母端位于所述隔离驱动电路板上,所述板载连接器的公端位于所述控制电路板上。
4.根据权利要求1或2所述的控制器,其特征在于,
所述隔离驱动电路板还包括隔离驱动芯片;
所述隔离驱动芯片的输出端配置电容,所述电容用于消除所述全桥MOSFET装置的米勒效应;
下桥臂隔离驱动芯片的输出端配置稳压二极管,所述稳压二极管用于保护所述全桥MOSFET装置。
5.根据权利要求1或2所述的控制器,其特征在于,
所述控制电路板与全桥MOSFET装置共用电源输入与三相输出接线端子。
6.根据权利要求5所述的控制器,其特征在于,
所述控制电路板包括信号采集调理装置、主控装置和电源转换装置;
所述电源转换装置将母线电压转换后为所述控制电路板和隔离型功率驱动装置供电;
所述信号采集调理装置采集并调理电机霍尔位置反馈信号、电机温度信号和控制器温度信号,将调理后的电机霍尔位置反馈信号、电机温度信号和控制器温度信号传输至所述主控装置;
所述主控装置基于调理后的电机霍尔位置反馈信号、电机温度信号和控制器温度信号控制电机的伺服系统,输出脉宽调制信号至所述隔离型功率驱动装置。
7.根据权利要求6所述的控制器,其特征在于,
所述电源转换装置将母线电压转换为驱动电源和控制电源;
所述驱动电源部分和控制电源部分通过隔离电源模块实现隔离。
8.根据权利要求7所述的控制器,其特征在于,
所述驱动电源部分第一级通过第一隔离电源模块将母线电压40-60V转换为15V,为所述全桥MOSFET装置的3个下桥臂驱动芯片供电;
所述驱动电源部分第二级通过3个第二隔离电源模块,分别将第一级输出的15V电压转换成15V1、15V2和15V3,分别为所述全桥MOSFET装置的3个上桥臂驱动芯片供电。
9.根据权利要求7所述的控制器,其特征在于,
所述控制电源部分通过第三隔离电源模块将母线电压40-60V转换为5V。
10.根据权利要求7所述的控制器,其特征在于,
所述控制器母线电压的输入端配置多个储能电解电容;
所述控制器母线电压的输入端并联2个双向瞬变电压抑制管,用于吸收母线上的瞬态尖峰电压。
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