[实用新型]一种有机电致发光二极管

说明书

一种有机电致发光二极管，由下而上依序包含:薄膜晶体管、第一透明氧化层设置在薄膜晶体管上、第一电极设置在第一透明氧化层上、第二透明氧化层设置在第一电极上；具有开口的像素定义层设置在第二透明氧化层上以及第二电极设置在第二透明氧化层上且在像素定义层之间的开口内。

技术领域

本实用新型是涉及一种光电半导体技术领域，特别是有关于有机电致发光二极管。

背景技术

有机电致发光二极管(OLED)具有材料选择范围宽、驱动电压低、全部化主动发光、重量轻、工作温度范围宽和可制作在柔软衬底上等特点、能够满足当今信息时代对显示技术更高性能和更大信息容量的要求，成为目前科学界和产业界最热门的课题之一。此外，由于OLED的高效率、低成本，使其在照明领域的应用前景也被看好。

提高有机电致发光二极管的性能从而增加有机电致发光产品在市场的竞争力，对于当前有机电致发光技术的发展是十分重要的。有机电致发光二极管具有一种类似三明治的结构，其上下分别是阴极和阳极，两个电极之间夹着单层或是多层不同材料种类和不同结构的有机材料功能层，而有机电致发光二极管是一种载流子注入型发光器件，在阳极和阴极加上工作电压后，空穴从阳极，电子从阴极分别注入到工作器件的有机材料层中，两种载流子在有机发光材料中形成空穴-电子对发光，然后从电极的一侧发出。

从研究中可以得知，提高载流子的注入效率能够明显的提高器件的发旋光性能。当有机发光材料固定时，对阳极及阴极材料的选择提出不同要求，即阳极材料的功函数愈高愈好，阴极材料的功函数愈低愈好。选择低功函数的金属，特别是活泼金属可以降低电子的注入势垒，从而降低所需的工作电压。

现有的I-OLED结构在阴极图案化制程时，金属阴极易污染。此外，低功函数的阴极金属由于其活泼性更强，所以进行图案化制程时，更容易被氧化等失效。从而使得OLED电子易于从阴极注入则要求阴极的功函数低。

实用新型内容

根据上述现有技术的缺陷，本实用新型主要的目的在于提供一种有机电致发光二极管，可以解决阴极在制备过程中，被污染的缺陷。

本实用新型的另一目的在于提供一种有机电致发光二极管制备方法，以解决在现有技术中，在阴极图案化的过程中，显影液对低功函数高活泼性阴极材料的损伤而造成污染的技术问题。

根据上述目的，本实用新型提供一种有机电致发光二极管，由下而上依序包含:薄膜晶体管、第一透明氧化层设置在薄膜晶体管上、第一电极设置在第一透明氧化层上、第二透明氧化层设置在第一电极上；具有开口的像素定义层设置在第二透明氧化层上以及第二电极设置在第二透明氧化层上且在像素定义层之间的开口内。

根据上述有机电致发光二极管，本实用新型还提供一种有机电致发光二极管的制备方法，其步骤包含:提供基底结构，由下而上依序包含有薄膜晶体管、第一透明氧化层、第一电极、第二透明氧化层；像素定义层在形成基底结构上；执行半导体微影制程以移除部份的像素定义层，使得在像素定义层之间形成第一开口，第一开口暴露出基底结构的部份表面；形成具有第二开口的光阻层在像素定义层上，第二开口与第一开口暴露出基底结构的部份表面；形成第二电极在光阻层的表面、光阻层与像素定义层的侧壁及基底结构所暴露出的部份表面；以及移除在光阻层上的第二电极、光阻层及光阻层与像素定义层的侧壁上的第二电极，以保留在基底结构上的像素定义层及在像素定义层之间的第一开口内的第二电极。

本实用新型还提供一种有机电致发光二极管的制备方法，其步骤包含:提供基底结构，所述基底结构由下而上依序包含有薄膜晶体管、第一透明氧化层、第一电极、第二透明氧化层；形成第二电极在基底结构上；形成光阻层在第二电极上；执行半导体微影制程，以移除部份的光阻层及部份第二电极并暴露出基底结构的部份表面；以及移除光阻层，以保留第二电极在基底结构的部份表面。

根据上述制备方法，可以解决在现有技术中，在阴极图案化的过程中，显影液对低功函数高活泼性阴极材料的损伤而造成污染的技术问题。