[实用新型]光电集成电路

权利要求书

1.一种光电集成电路，其特征在于，包括光电转换区和半导体器件区；其中，

所述光电转换区包括发光器件、波导器件及探测器件，所述发光器件、所述波导器件及所述探测器件制备于同一硅基衬底上，且所述发光器件、所述波导器件及所述探测器件依次相连；

所述半导体器件区包括半导体器件，且所述半导体器件与所述探测器件相连。

2.根据权利要求1所述的光电集成电路，其特征在于，所述发光器件为PIN二极管，所述PIN二极管包括第一GeSn合金层、第一Ge层和第一Si层，所述第一GeSn合金层、所述第一Ge层和所述第一Si层依次层叠于所述硅基衬底上。

3.根据权利要求2所述的光电集成电路，其特征在于，所述波导器件包括SiO₂层、第二GeSn合金层、Si覆盖层及压应力层；其中，

所述SiO₂层位于所述波导器件的两侧，且与所述发光器件、所述探测器件相连以形成隔离；

所述第二GeSn合金层、所述Si覆盖层及所述压应力层依次层叠于所述硅基衬底上。

4.根据权利要求1所述的光电集成电路，其特征在于，所述探测器件包括第三GeSn合金层、第二Ge层、第二Si层及张应力层，所述第三GeSn合金层、所述第二Ge层、所述第二Si层和所述张应力层依次层叠于所述硅基衬底上。