[实用新型]一种应用于芯片散热的金属微通道热沉结构有效
| 申请号： | 201822115274.1 | 申请日： | 2018-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN209418488U | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 马盛林;夏雁鸣;胡鑫欣;蔡涵;陈兢;李轩杨 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01L23/427 | 分类号： | H01L23/427;B81C3/00 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;张迪 |
| 地址： | 361000 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微通道热沉结构 芯片散热 微流道 金属 拾阶 三维垂直结构 本实用新型 大功率射频 高密度芯片 微流道系统 低导热性 封装壳体 高效散热 制造工艺 重要意义 兼容性 微流体 冷却 应用 流出 芯片 分流 | ||
【权利要求书】：
1.一种应用于芯片散热的金属微通道热沉结构，其特征在于包括：上下层叠设置的双层金属衬底；
其中位于上层的第一金属衬底在朝向第二金属衬底的一面，具有第一半开放式平面微通道；所述第一半开放式平面微通道朝向第二金属衬底的一侧为开口面，并且其沿着平行于第一金属衬底上表面的方向延伸；所述第二金属衬底朝向第一金属衬底的一面，具有垂直贯穿微通道；所述垂直贯穿微通道沿着平行于第二金属衬底侧表面的方向贯穿所述第二金属衬底；
所述第一金属衬底远离第二金属衬底的一面与射频芯片导热连接；所述第二金属衬底远离第一金属衬底的一面与铝合金衬底连接；
所述铝合金衬底朝向第二金属衬底的一面具有第二半开放式平面微通道；所述垂直贯穿微通道分别连通所述第一半开放式平面微通道、第二半开放式平面微通道形成三维垂直结构微流道系统。
2.根据权利要求1所述的一种应用于芯片散热的金属微通道热沉结构，其特征在于：所述第一金属衬底、第二金属的材质包括但不限于钨或钼或钛或铝或铜。
3.根据权利要求1所述的一种应用于芯片散热的金属微通道热沉结构，其特征在于：所述半开放式平面微通道为直线型或扰流柱型或翅片型。
4.根据权利要求1所述的一种应用于芯片散热的金属微通道热沉结构，其特征在于：所述垂直贯穿微通道为矩形或圆形。
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