[实用新型]控温装置及半导体加工设备

说明书

本实用新型提供一种控温装置及半导体加工设备，包括环形本体，环形本体套设在待控温设备的外侧；在环形本体的内壁上设置有控温凸部，用以增加环形本体与待控温设备进行热交换的表面积。本实用新型提供的控温装置及半导体加工设备，能够提高对待控温设备的控温效果，以避免由于待控温设备的温度不符合工艺要求，影响基片的加工效果。

技术领域

本实用新型涉及半导体设备技术领域，具体地，涉及一种控温装置及半导体加工设备。

背景技术

目前，在半导体设备技术领域中，通常使用等离子源系统和下偏压系统对基片进行刻蚀，在工艺中，基片放置在基座上，下偏压系统与基座连接，通过在等离子源系统中的射频线圈上施加功率，以在等离子源系统的等离子体产生腔内部产生等离子体，通过在下偏压系统上加载电压，以引导等离子体轰击基座上的基片，而在连续的工艺过程中，加载在射频线圈上的功率，会使等离子源系统产生大量热量，这些热量会辐射至基片上，对基片的加工造成影响。

现有技术中，通常是在射频线圈外套设环体的冷却套筒，冷却套筒环绕在线圈的周围，并在冷却套筒中通入冷却水，冷却水在冷却套筒中循环，以对线圈进行冷却。

但是，随着半导体工艺的发展，为了实现高刻蚀选择比以及刻蚀速率，等离子体功率密度也随之增高，立体线圈的使用成为必然，立体线圈等离子体产生腔在高等离子体功率密度下，其温度很高，现有技术中的冷却套筒难以对其充分散热，这就会造成立体线圈等离子体产生腔的热量辐射至基片，导致基片糊胶，影响基片的加工效果。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种控温装置及半导体加工设备，其能够提高对待控温设备的控温效果，以避免由于待控温设备的温度不符合工艺要求，影响基片的加工效果。

为实现本实用新型的目的而提供一种控温装置，包括环形本体，所述环形本体套设在待控温设备的外侧；

在所述环形本体的内壁上设置有控温凸部，用以增加所述环形本体与所述待控温设备进行热交换的表面积。

优选的，所述控温凸部为多个，且沿所述环形本体的周向间隔设置。

优选的，多个所述控温凸部沿所述环形本体的周向均匀分布。

优选的，所述控温凸部沿所述环形本体的轴线方向，自所述环形本体内壁的顶部延伸至底部。

优选的，所述控温凸部在所述环形本体的径向截面上的正投影形状为矩形、半圆形、弧形或三角形中的任意一种或组合。

优选的，所述控温凸部在所述环形本体的径向方向上的长度小于或者等于6mm。

优选的，所述环形本体中设置有用于热交换介质流通的第一控温通道，且所述环形本体上设置有用于向所述第一控温通道中通入所述热交换介质的入口，以及用于排出所述热交换介质的出口。

优选的，所述控温凸部内设有中空腔，且所述中空腔与所述第一控温通道连通。

本实用新型还提供一种半导体加工设备，包括线圈和上述的所述控温装置，所述控温装置套设在所述线圈外侧。

优选的，所述线圈包括立体线圈。

本实用新型具有以下有益效果：

本实用新型提供的控温装置，通过套设在待控温设备外侧的环形本体，控制待控温设备的温度，并在环形本体的内壁上设置有控温凸部，借助控温凸部增加环形本体与待控温设备进行热交换的的表面积，以提高对待控温设备的控温效果，从而避免由于待控温设备的温度不符合工艺要求，影响基片的加工效果。

本实用新型提供的半导体加工设备，通过将本实用新型提供的控温装置套设在线圈外侧，提高控温装置对线圈的控温效果，从而避免由于线圈的温度不符合工艺要求，影响基片的加工效果。