[实用新型]一种优化菊花链拓扑的DDR模块信号质量的PCB结构有效
| 申请号： | 201822101368.3 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN210042356U | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 黄刚;吴均 | 申请（专利权）人： | 深圳市一博科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H05K1/02 | 分类号： | H05K1/02 |
| 代理公司： | 44276 深圳市远航专利商标事务所(普通合伙) | 代理人： | 张朝阳;袁浩华 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区科*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 端接电阻 颗粒负载 走线 本实用新型 走线阻抗 主芯片控制器 模块信号 多负载 菊花链 拓扑 优化 | ||
【权利要求书】：
1.一种优化菊花链拓扑的DDR模块信号质量的PCB结构，包括主芯片控制器、走线、若干颗粒负载，其特征在于，所述主芯片控制器通过所述走线分别与若干所述颗粒负载连接，所述走线包括走线阻抗R0，所述走线上还设置有端接电阻R,且所述端接电阻R的阻值小于所述走线阻抗R0的阻值。
2.根据权利要求1所述的一种优化菊花链拓扑的DDR模块信号质量的PCB结构，其特征在于，所述颗粒负载的数量为N时，所述端接电阻R的阻值为：R＝R0-(N-1)*2。
3.根据权利要求2所述的一种优化菊花链拓扑的DDR模块信号质量的PCB结构，其特征在于，所述颗粒负载的数量为5，所述端接电阻R的阻值比所述走线阻抗R0的阻值小8欧姆。
4.根据权利要求3所述的一种优化菊花链拓扑的DDR模块信号质量的PCB结构，其特征在于，所述走线阻抗R0的阻值为50欧姆，所述端接电阻R的阻值为42欧姆。
5.根据权利要求2所述的一种优化菊花链拓扑的DDR模块信号质量的PCB结构，其特征在于，所述颗粒负载的数量为9，所述端接电阻R的阻值比所述走线阻抗R0的阻值小16欧姆。
6.根据权利要求5所述的一种优化菊花链拓扑的DDR模块信号质量的PCB结构，其特征在于，所述走线阻抗R0的阻值为50欧姆，所述端接电阻R的阻值为34欧姆。
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