[实用新型]一种快恢复二极管有效
| 申请号： | 201822093749.1 | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN210073766U | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 曹功勋;朱涛;田亮;吴昊;金锐;吴军民;潘艳 | 申请（专利权）人： | 全球能源互联网研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/265;H01L29/06;H01L29/861 |
| 代理公司： | 11271 北京安博达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 背面 快恢复二极管 本实用新型 背面结构 掺磷 金属 动态雪崩 硅片背面 芯片背面 依次设置 正面结构 洁净度 硅片 背金 减薄 沾污 | ||
1.一种快恢复二极管，其特征在于，包括N型硅片以及分别位于所述N型硅片正面和背面的正面结构和背面结构：
所述背面结构包括N型掺杂层、N型缓冲层、N型掺磷区和背面金属，所述N型缓冲层、N型掺磷区和背面金属按照从所述N型硅片的内部到背面的顺序依次设置于所述N型硅片背面，所述N型掺杂层设置于所述N型硅片内部。
2.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述正面结构包括有源区、保护环、N型截止环、氧化层、BPSG层、正面金属和钝化层；
所述正面金属包括有源区金属和截止环金属。
3.根据权利要求2所述的快恢复二极管，其特征在于，所述有源区、保护环和N型截止环均设置于所述N型硅片内部，且所述保护环位于有源区和N型截止环之间；
所述有源区金属和截止环金属分别位于有源区和N型截止环表面，所述氧化层、BPSG层和钝化层按照从所述N型硅片的内部到正面的顺序依次设置于所述N型硅片正面。
4.根据权利要求2所述的快恢复二极管，其特征在于，所述保护环位于所述有源区和所述N型截止环之间；
所述有源区的个数为1，所述保护环的个数为1个或至少两个；
所述保护环的个数为1个时，所述保护环与N型截止环保持预设间隔；
所述保护环的个数为至少两个时，靠近N型截止环的保护环与N型截止环保持预设间隔。
5.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述N型掺杂层和N型缓冲层通过高能氢注入和退火工艺形成，两者的厚度基于高能氢的注入次数确定。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于全球能源互联网研究院有限公司，未经全球能源互联网研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201822093749.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种AlGaN双异质结高阻缓冲层外延结构
- 下一篇：一种新型引线框架蚀刻设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
