[实用新型]一种充电加速单元、充电电路及非易失存储器有效
| 申请号: | 201822085566.5 | 申请日: | 2018-12-12 |
| 公开(公告)号: | CN209401310U | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
| 发明(设计)人: | 张现聚;陈洋;胡俊 | 申请(专利权)人: | 北京兆易创新科技股份有限公司;合肥格易集成电路有限公司 |
| 主分类号: | G11C5/14 | 分类号: | G11C5/14 |
| 代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
| 地址: | 100083 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 充电 加速单元 充电模块 加速设备 关断 非易失存储器 本实用新型 充电输出端 充电电路 电路 | ||
本实用新型实施例提供了一种充电加速单元、充电电路及非易失存储器,该充电加速单元包括:第一充电模块,第二充电模块,关断模块、充电输出端,关断模块与第一充电模块和第二充电模块分别连接。本实用新型实施例的充电加速单元可以通过充电输出端为待充电加速设备提供加速充电,大大提升待充电加速设备的充电速度,当加速完成后,该充电加速单元还可以自行关断,不对待充电加速设备所在的电路造成其他影响。
技术领域
本实用新型涉及存储器技术领域,特别是涉及一种充电加速单元、充电电路及非易失存储器。
背景技术
非易失存储器,如NAND FLASH中通常需要灵敏放大器SA以实现数据编程、数据读取等功能,在数据编程、数据读取过程中,需要通过SA的充电晶体管对位线BL进行充电。
现有技术中,通常是通过运算放大器,将SA中的充电晶体管栅极电压拉高并钳位到该运算放大器的输入参考电压,使得充电晶体管导通后对位线BL进行充电。
然而,实用新型人在研究上述技术方案的过程中发现,上述技术方案存在如下缺陷:采用现有的技术为BL充电时,NAND FLASH进行数据编程、数据读取的速度较慢。
实用新型内容
鉴于上述问题,提出了本实用新型实施例的一种充电加速单元、充电电路及非易失存储器,以提升充电速度。
根据本实用新型的第一方面,提供了一种充电加速单元,包括:
第一充电模块,第二充电模块,关断模块、充电输出端;
所述第一充电模块包括:与第一电源连接的第一电源连接端、用于接收第一信号的第一信号接收端、与所述关断模块连接的第一充电端;
所述第二充电模块包括:与所述第一电源连接的第二电源连接端、用于接收第二信号的第二信号接收端、与所述关断模块连接的第二充电端、用于接收所述关断模块的关断信号的关断信号接收端;其中,所述第二信号与所述第一信号互为反相信号;
所述关断模块包括:与所述第一充电端连接的第一充电接收端,用于在所述第一充电模块根据所述第一信号处于导通状态时,所述第一充电接收端接收所述第一电源的充电;
所述关断模块还包括:与所述第二充电端连接的第二充电接收端,用于在所述第二充电模块根据所述第二信号处于导通状态时,所述第二充电接收端接收所述第一电源的充电;
所述关断模块还包括:与所述关断信号接收端连接的关断信号输出端,用于在所述第二充电接收端的电压大于所述关断模块的导通阈值时,通过所述关断信号接收端关断所述第二充电模块;
所述充电输出端与所述第二充电端连接,所述充电输出端用于连接待充电加速设备。
优选地,所述第一充电模块包括:第一P型场效应管;
所述第一P型场效应管的栅端作为所述第一信号接收端;
所述第一P型场效应管的源端作为所述第一电源连接端;
所述第一P型场效应管的漏端作为所述第一充电端。
优选地,所述第二充电模块包括:第二P型场效应管、第三P型场效应管;
所述第二P型场效应管的栅端作为所述第二信号接收端;
所述第二P型场效应管的源端作为所述第二电源连接端;
所述第二P型场效应管的漏端与所述第三P型场效应管的源端连接;
所述第三P型场效应管的栅端作为所述关断信号接收端;
所述第三P型场效应管的漏端作为所述第二充电端。
优选地,所述关断模块包括:第一N型场效应管,反相器;
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