[实用新型]改型整流二极管

权利要求书

1.一种改型整流二极管，低掺杂N型硅衬底上设有高掺杂P型硅基区，形成PN结，所述低掺杂N型硅衬底呈圆角正方体状，N型硅衬底表面沉积金属Al作为阳极，N型硅衬底的背面沉积金属Ag作为阴极，所述阴极、阳极外设有保护膜，其特征在于，所述N型硅衬底上有3个环形结构，最外环的高掺杂N型第一环形结构，中间的高掺杂P型第二环形结构，高掺杂P型硅基区侧的高掺杂P型第三环形结构；其中，所述第三环形结构覆盖N型硅衬底和高掺杂P型硅基区的连接处。

2.根据权利要求1所述的一种改型整流二极管，其特征在于，所述第一环形结构宽度为45μm；第二环形结构宽度为12μm；第三环形结构宽度为25μm，其中10μm宽度与高掺杂P型硅基区重合。

3.根据权利要求1或2所述的一种改型整流二极管，其特征在于，所述第二环形结构、第三环形结构深度为18μm。

4.根据权利要求1所述的一种改型整流二极管，其特征在于，所述第一环形结构、第二环形结构、第三环形结构间的横向距离依次为80μm、50μm。

5.根据权利要求1所述的一种改型整流二极管，其特征在于，所述N型硅衬底、高掺杂P型硅基区、第一环形结构、第二环形结构、第三环形结构上设有碳纳米管CNT层。

6.根据权利要求1所述的一种改型整流二极管，其特征在于，所述低掺杂N型硅衬底深度为52μm；高掺杂P型硅基区深度为3μm。

7.根据权利要求1所述的一种改型整流二极管，其特征在于，所述低掺杂N型硅衬底电阻率为30±3Ω·cm。

8.根据权利要求1所述的一种改型整流二极管，其特征在于，所述金属Al的厚度为4μm，所述金属Ag的厚度为0.5μm。