[实用新型]一种具有双腔体结构的原子层沉积装置有效
申请号: | 201822071576.3 | 申请日: | 2018-12-11 |
公开(公告)号: | CN209162188U | 公开(公告)日: | 2019-07-26 |
发明(设计)人: | 左雪芹;陆雪强;潘晓霞 | 申请(专利权)人: | 江苏迈纳德微纳技术有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 无锡市才标专利代理事务所(普通合伙) 32323 | 代理人: | 张天翔 |
地址: | 214000 江苏省无锡市新*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 反应腔 真空腔 主机柜 外壁 原子层沉积装置 双腔体结构 加热器 真空反应腔 前驱体源 样品进口 本实用新型 氮气保护 反应环境 工作效率 可视窗口 内部安装 内部连接 输送系统 压力控制 真空系统 均匀性 控制柜 前驱体 上端 沉积 温场 泄漏 洁净 保证 | ||
本实用新型公开了一种具有双腔体结构的原子层沉积装置,包括主机柜,所述主机柜的一侧连接有控制柜,主机柜的上端连接有真空反应腔,主机柜的内部安装有前驱体源输送系统和真空系统,所述真空反应腔包括反应腔外壁和样品进口,反应腔外壁与样品进口相连,反应腔外壁的一侧安装有可视窗口,反应腔外壁的内部连接有真空腔。本具有双腔体结构的原子层沉积装置,加热器置于反应腔与真空腔之间,保证反应腔整体温场的均匀性又避免前驱体源沉积对于加热器工作效率造成影响;反应腔与真空腔之间有氮气保护氛围,且真空腔的压力控制大于反应腔,避免反应腔的前驱体泄漏至真空腔外,同时保证反应腔内洁净的反应环境。
技术领域
本实用新型涉及原子层沉积技术领域,具体为一种具有双腔体结构的原子层沉积装置。
背景技术
原子层沉积技术是序列前驱体脉冲交替进入反应室发生自限制的表面化学吸附反应。前驱体的运输、在反应腔中的扩散以及反应腔温场的均匀性对镀膜的质量影响很大。常见的ALD反应室基本是单腔的,加热器内置于反应腔内,前驱体源在反应腔内发生化学吸附反应,同时会沉积在加热器中,影响加热器的工作效率。此外于反应腔中的前驱体源存在泄漏至外界空气的风险。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种具有双腔体结构的原子层沉积装置,具有温场均匀,防止泄露,保护反应环境的优点,解决了现有技术中的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种具有双腔体结构的原子层沉积装置,包括主机柜,所述主机柜的一侧连接有控制柜,主机柜的上端连接有真空反应腔,主机柜的内部安装有前驱体源输送系统和真空系统,所述真空反应腔包括反应腔外壁和样品进口,反应腔外壁与样品进口相连,反应腔外壁的一侧安装有可视窗口,反应腔外壁的内部连接有真空腔,真空腔内安装有加热器,加热器内安装有反应腔,反应腔的上端连接有前驱体源入口管道,反应腔的下端连接有出气口,反应腔外壁的上端连接有等离子反应腔,反应腔外壁下端的一侧连接有真空腔压力监测接口,真空腔压力监测接口的一侧连接有备用接口,反应腔外壁下端的中间位置连接有前驱体源入口,前驱体源入口的上端与前驱体源入口管道相连,前驱体源入口一侧的反应腔外壁上连接有真空系统接口,真空系统接口的上端与出气口相连,真空系统接口的一侧连接有反应腔压力监测接口,反应腔外壁下端的另一侧连接有惰性气体入口。
优选的,所述前驱体源入口的下端与前驱体源输送系统相连。
优选的,所述真空系统接口的下端与真空系统相连。
优选的,所述控制柜内安装有装置控制系统,控制系统可扩展增加等离子体增强功能、臭氧源。
优选的,所述真空腔与反应腔之间填充有氮气,真空腔与反应腔均为密封结构。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果如下:
本具有双腔体结构的原子层沉积装置,加热器置于反应腔与真空腔之间,保证反应腔整体温场的均匀性又避免前驱体源沉积对于加热器工作效率造成影响;反应腔与真空腔之间有氮气保护氛围,且真空腔的压力控制大于反应腔,避免反应腔的前驱体泄漏至真空腔外,同时保证反应腔内洁净的反应环境。
附图说明
图1为本实用新型的整体结构图;
图2为本实用新型的真空反应腔结构图;
图3为本实用新型的反应腔外壁内部结构物。
图中:1、主机柜;11、前驱体源输送系统;12、真空系统;2、控制柜;3、真空反应腔;31、反应腔外壁;311、可视窗口;312、真空腔;313、加热器;314、反应腔;315、前驱体源入口管道;316、出气口;32、样品进口;33、备用接口;34、等离子反应腔;35、前驱体源入口;36、真空系统接口;37、反应腔压力监测接口;38、真空腔压力监测接口;39、惰性气体入口。
具体实施方式
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的