[实用新型]一种带隙基准电压源及电子设备

说明书

本申请公开了一种带隙基准电压源及电子设备，其中，所述带隙基准电压源由启动模块和带隙核心模块构成，所述带隙基准电压源在环路补偿时，若使所述带隙基准电压源的次极点等于零点，则达到稳定条件所需的第二电容值远远小于现有技术中的带隙基准电压源所需的补偿电容，由此可得本申请实施例提供的带隙基准电压源的主极点远大于现有技术中的带隙基准电压源的主极点，因此本申请实施例提供的带隙基准电压源可以有效提高环路带宽，实现降低带隙基准电压源环路补偿难度、提升单位增益带宽且降低所需的补偿电容的目的。

技术领域

本申请涉及集成电路技术领域，更具体地说，涉及一种带隙基准电压源及电子设备。

背景技术

基准电压源作为集成电路中不可缺少的基本模块，广泛用于放大器、模数转换器、数模转换器、射频、传感器和电源管理芯片中。基准电压源包括基于齐纳二极管反向击穿特性的电压基准、基于PN结正向导通特性的电压基准和带隙基准等多种实现方式，其中带隙基准具有高精度、低温漂和高电源抑制比等优点，得到了广泛应用。

现有技术中的带隙基准电压源可以通过调整电路的参数来得到零温度系数的带隙基准电压源。但这种带隙基准电压源的输出为高阻抗节点，使得电路的次极点较小，因此，如果想要补偿该次极点，就需要比较大的补偿电容。由此可见，这种传统的带隙基准电压源结构的次极点位置在较低频处，环路补偿比较困难，单位增益带宽(Gain–Band Width，GBW)较低，所需补偿电容面积较大。

实用新型内容

为解决上述技术问题，本申请提供了一种带隙基准电压源及电子设备，以实现降低带隙基准电压源环路补偿难度、提升单位增益带宽且降低所需的补偿电容的目的。

为实现上述技术目的，本申请实施例提供了如下技术方案：

一种带隙基准电压源，包括：启动模块和带隙核心模块；其中，

所述启动模块包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第一电阻；所述第一晶体管的控制极用于接收所述带隙基准电压源的输出电压作为偏置电压，所述第一晶体管的输出极与所述第二晶体管的输出极、第二晶体管的控制极、第三晶体管的控制极以及第一电阻的一端连接；所述第一晶体管的输入极与所述第二晶体管的输出极以及第四按晶体管的输出极连接，作为所述启动模块的接地端；

所述第一电阻远离所述第一晶体管的一端作为所述启动模块的输入端，所述第三晶体管的输出极作为所述启动模块的输出端；

所述带隙核心模块包括第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、运算放大器、分压单元、第二电阻、第一电容和第二电容；

所述第四晶体管的输入极与所述第五晶体管的输入极、以及所述启动模块的输入端连接，用于接收工作电压；所述第四晶体管的控制极与所述第五晶体管的控制极、第五晶体管的输出极、第六晶体管的输出极以及所述启动模块的输出端连接；所述第六晶体管的控制极与所述第二电阻的一端以及所述运算放大器的偏置输入端连接，所述第六晶体管的输入极与所述分压单元的输入端以及第一电容的一端连接，作为所述带隙基准电压源的输出端，所述第二电容远离所述第六晶体管的一端接地；

所述第二电阻远离所述运算放大器的一端与所述第二电容连接，所述第二电容远离所述第二电阻一端与所述第七晶体管的控制极、第七晶体管的输出极、第八晶体管的控制极和第八晶体管的输出极均连接；

所述运算放大器的第一输入端与所述分压单元的第一输出端以及所述第七晶体管的输入极均连接，所述运算放大器的第二输入端与所述分压单元的第二输出端连接；

所述分压单元的第三输出端与所述第八晶体管的输入极连接。

可选的，所述第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管和第六晶体管均为场效应晶体管；

所述第七晶体管和第八晶体管均为三极管。