[实用新型]用于反应腔室的整流件及反应腔室有效
| 申请号： | 201822051574.8 | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN209708946U | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 林源为;崔咏琴 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 11218 北京思创毕升专利事务所 | 代理人： | 孙向民;廉莉莉<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 整流件 反应腔室 整流环 晶圆 等离子体 本实用新型 平面圆环形 密度分布 反应腔 均匀性 刻蚀 室内 优化 | ||
1.一种用于反应腔室的整流件，所述反应腔室包括用于安装晶圆的基座，所述整流件用于设置在所述基座上方，其特征在于，所述整流件包括整流环，所述整流环为平面圆环形。
2.根据权利要求1所述的用于反应腔室的整流件，其特征在于，所述整流环的外周设有多个固定孔。
3.根据权利要求2所述的用于反应腔室的整流件，其特征在于，所述多个固定孔沿所述整流环的外周均匀分布。
4.根据权利要求2所述的用于反应腔室的整流件，其特征在于，所述固定孔为耳状。
5.根据权利要求1所述的用于反应腔室的整流件，其特征在于，所述整流件由铝或陶瓷制成。
6.根据权利要求1所述的用于反应腔室的整流件，其特征在于，所述整流环的外周直径范围为370～380mm，内周直径范围为335～345mm。
7.根据权利要求1所述的用于反应腔室的整流件，其特征在于，还包括导流环，所述导流环为圆筒形，所述导流环的上端连接于所述整流环的内周。
8.根据权利要求7所述的用于反应腔室的整流件，其特征在于，所述导流环的高度范围为10～20mm。
9.一种反应腔室，所述反应腔室包括用于安装晶圆的基座，其特征在于，所述反应腔室还包括根据权利要求1-8中任一项所述的用于反应腔室的整流件，所述整流件设置在所述基座上方。
10.根据权利要求9所述的反应腔室，其特征在于，所述整流件固定连接于所述反应腔室的内壁。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
