[实用新型]晶圆承载装置及带有晶圆承载装置的金属离子检测设备有效
| 申请号： | 201822046417.8 | 申请日： | 2018-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN208954964U | 公开（公告）日： | 2019-06-07 |
| 发明（设计）人： | 李丹;高英哲;张文福;刘家桦;叶日铨 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆承载装置 承载盘 晶圆 金属离子检测 容纳腔 金属 竖直 检测 驱动器 机台 承载装置 检测结果 交叉污染 金属离子 升降运动 种晶 投影 保证 驱动 | ||
1.一种晶圆承载装置，其特征在于，包括：
第一承载盘和第二承载盘，沿竖直方向平行排列，均用于承载晶圆；
驱动器，连接所述第一承载盘和第二承载盘，用于分别驱动所述第一承载盘和第二承载盘沿竖直方向做升降运动；
所述第一承载盘设置有第一容纳腔，所述第二承载盘在竖直方向上的投影在所述第一容纳腔内。
2.根据权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述第一承载盘的第一容纳腔的尺寸小于待承载的晶圆的直径。
3.根据权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述第一承载盘和第二承载盘均设置有真空孔，用于吸附放置在所述承载盘表面的晶圆。
4.根据权利要求3所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述真空孔的数目大于1，均匀分布于所述第一承载盘和第二承载盘表面。
5.根据权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，所述驱动器包括马达，所述马达的输出轴连接到所述第一承载盘和第二承载盘。
6.根据权利要求1所述的晶圆承载装置，其特征在于，还包括；
第三承载盘，与所述第一承载盘和第二承载盘沿竖直方向平行排列，用于承载晶圆；
所述驱动器连接所述第三承载盘，用于驱动所述第三承载盘做升降运动；
所述第二承载盘设置有第二容纳腔，所述第三承载盘在竖直方向上的投影在所述第二容纳腔内。
7.一种带有晶圆承载装置的金属离子检测设备，其特征在于，包括：
反应腔，用于检测晶圆表面的金属离子；
晶圆承载装置，设置于所述反应腔内，用于承载晶圆，包括：
第一承载盘和第二承载盘，沿竖直方向平行排列，均用于承载晶圆；
驱动器，连接所述第一承载盘和第二承载盘，用于分别驱动所述第一承载盘和第二承载盘沿竖直方向做升降运动；
所述第一承载盘设置有第一容纳腔，所述第二承载盘在竖直方向上的投影在所述第一容纳腔内。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
