[实用新型]太阳能电池及光伏组件有效
| 申请号： | 201822036147.2 | 申请日： | 2018-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN208923156U | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 刘运宇 | 申请（专利权）人： | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/042 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨金 |
| 地址： | 215000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 背表面 背面 电极开口 保护膜 硅基体 背面栅线 减反射膜 钝化膜 本实用新型 光伏组件 差异化设计 材料破坏 电池效率 覆盖区域 相邻排布 相应区域 依次层叠 膜形成 邻近 贯穿 吸收 | ||
1.一种太阳能电池，包括硅基体、设置在所述硅基体正面的正面减反射膜、依次层叠设置在所述硅基体背面的钝化膜与背表面膜，所述钝化膜与背表面膜形成有电极开口，所述太阳能电池还包括部分贯穿所述电极开口并与所述硅基体相接触的背面栅线，其特征在于：所述背表面膜具有相邻排布的背面保护膜与背面减反射膜，所述背面保护膜位于电极开口的附近，且所述背面栅线形成在背表面膜上的部分不超出所述背面保护膜的覆盖区域。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述背面保护膜设置为SiNx膜层、SiOxNy膜层及SiO2膜层中的任一种，抑或设置为SiNx膜层、SiOxNy膜层及SiO2膜层中至少两种组成的复合薄膜。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于：所述背面保护膜的厚度不小于120nm。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述背面减反射膜设置为SiNx膜层、SiOxNy膜层及SiO2膜层中的任一种，抑或设置为SiNx膜层、SiOxNy膜层及SiO2膜层中至少两种组成的复合薄膜。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于：所述背面减反射膜的厚度介于65～95nm。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述背面保护膜与背面减反射膜两者的结构组成一致，所述背面保护膜的厚度大于背面减反射膜的厚度。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述背面保护膜包括介质膜，所述背面栅线形成在背表面膜上的部分不超出所述介质膜的覆盖区域。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述背面保护膜的宽度设置为180～240μm。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述电极开口的宽度设置为20～40μm；所述背面栅线的宽度设置120～180μm。
10.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述太阳能电池还包括正面电极，所述正面电极贯穿正面减反射膜并与所述硅基体相接触；所述正面电极的设置区域与背面栅线的设置区域相对应。
11.一种光伏组件，其特征在于：所述光伏组件包括如权利要求1-10任一项所述的太阳能电池。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
