[实用新型]一种生长于氧化锌纳米棒阵列复合衬底的发光二极管有效
| 申请号： | 201822034398.7 | 申请日： | 2018-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN209045597U | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 顾伟 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/02;H01L33/00;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南昌高新技*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 氧化锌纳米棒阵列 复合 外延结构层 发光二极管外延结构 生长 本实用新型 发光二极管 氧化锌 剥离 氮化镓外延结构 晶格常数失配 氧化锌纳米棒 氮化镓基 后续工艺 晶格常数 晶体结构 氮化镓 酸腐蚀 禁带 去除 源层 残留 制作 | ||
1.一种生长于氧化锌纳米棒阵列复合衬底的发光二极管，包括复合衬底（10）和氮化镓基的发光二极管外延结构（20），其特征在于：复合衬底（10）包含衬底（101）和氧化锌纳米棒阵列（102），而所述发光二极管外延结构（20）为依次生长在氧化锌纳米棒阵列（102）上的n型半导体层（201）、有源层（202）和p型半导体层（203）。
2.根据权利要求1所述的一种生长于氧化锌纳米棒阵列复合衬底的发光二极管，其特征在于：所述衬底（101）可以为硅衬底、蓝宝石衬底、碳化硅衬底、氧化锌衬底、氧化镓衬底或石英衬底。
3.根据权利要求1所述的一种生长于氧化锌纳米棒阵列复合衬底的发光二极管，其特征在于：所述衬底（101）上生长氧化锌纳米棒阵列（102）之前，可以在所述衬底（101）上优先沉积氧化锌或氮化镓或氮化铝的薄膜（1021）。
4.根据权利要求1所述的一种生长于氧化锌纳米棒阵列复合衬底的发光二极管，其特征在于：所述n型半导体层（201）可以为掺Si的GaN、掺Si的AlGaN或掺Si的AlN。
5.根据权利要求1所述的一种生长于氧化锌纳米棒阵列复合衬底的发光二极管，其特征在于：所述有源层（202）可以为InGaN/GaN的多层量子阱结构或AlInGaN/AlGaN的多层量子阱结构。
6.根据权利要求1所述的一种生长于氧化锌纳米棒阵列复合衬底的发光二极管，其特征在于：所述p型半导体层（203）可以包含有电子阻挡层、p型层和p型接触层，所述电子阻挡层可以为掺Mg的AlGaN、掺Mg的AlInN或掺Mg的BAlN,p型层可以为掺Mg的GaN或掺Mg的AlGaN，p型接触层可以为掺Mg的GaN或掺Mg的AlGaN。
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