[实用新型]具有双层布拉格反射层的深紫外LED外延结构及器件

权利要求书

1.一种具有双层布拉格反射层的深紫外LED外延结构，其特征在于，所述LED外延结构包括：

衬底；

位于所述衬底上的半导体外延层，包括在所述衬底上依次设置的AlN层、N型AlGaN层、N型布拉格反射层、电流扩展层、量子阱有源层、电子阻挡层、P型布拉格反射层、P型GaN接触层；所述N型布拉格反射层为Al_xGa_1-xN层与GaN层交替层叠组成的周期结构；所述P型布拉格反射层为Al_yGa_1-yN层与GaN层交替层叠组成的周期结构。

2.如权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述n型布拉格反射层为1-100个周期的Al_xGa_1-xN/GaN超晶格结构，且Al_xGa_1-xN层的厚度为1-50nm，GaN层的厚度为1-50nm，超晶格结构使用Si作为n型掺杂剂。

3.如权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述P型布拉格反射层为1-100个周期的Al_xGa_1-xN/GaN超晶格结构，且Al_yGa_1-yN层的厚度为1-50nm，GaN层的厚度为1-50nm，超晶格结构使用Mg作为P型掺杂剂。

4.如权利要求1所述的LED外延结构，其特征在于，所述量子阱有源层为AlGaN多量子阱层、多量子垒层交替层叠组成的周期结构。

5.如权利要求4所述的LED外延结构，其特征在于，所述周期数为1-20。

6.一种器件，其特征在于，包括权利要求1-5任一所述的具有双层布拉格反射层的深紫外LED外延结构。

7.如权利要求6所述的器件，其特征在于，还包括P电极和N电极，所述P电极与P型GaN接触层欧姆接触连接，所述N电极与N型AlGaN层欧姆接触连接。