[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201822020071.4 | 申请日： | 2018-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN209199944U | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 陈兆同;何昌;史波;曾丹 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 吴黎 |
| 地址： | 519070*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 体区 半导体器件 半导体层 第一导电类型 上表面 栅极绝缘层 导电类型 注入区 栅氧 电场屏蔽作用 本实用新型 电场屏蔽 相邻设置 沟道处 氧化层 耐压 覆盖 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
第一导电类型半导体层；
第二导电类型体区，设置在所述半导体层中，所述体区的上表面高于所述半导体层的上表面；
第一导电类型注入区和第二导电类型注入区，相邻设置在所述体区中；
栅极绝缘层，设置在所述体区上且至少部分覆盖所述第一导电类型注入区；
栅极，设置在所述栅极绝缘层上。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极绝缘层延伸以至少部分覆盖所述半导体层的上表面，所述栅极还形成在覆盖所述体区侧壁的栅极绝缘层上。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
源极，设置在所述第一导电类型注入区和所述第二导电类型注入区上且部分覆盖所述第一导电类型注入区。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
漏极，设置在所述半导体层的另一侧上。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，还包括：
衬底，形成在所述半导体层与所述漏极之间。
6.根据权利要求1－5中任一所述的半导体器件，其特征在于，所述体区为多个，多个所述体区间隔设置。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，在相邻的两个所述体区中，所述第二导电类型注入区分别设置在所述体区的最外侧，所述第一导电类型注入区分别设置在所述第二导电类型注入区的内侧且相互远离设置。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，还包括：层间绝缘层，所述层间绝缘层覆盖相邻的两个所述体区上的所述栅极。
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