[实用新型]一种降低输入电容的半导体器件

说明书

本实用新型提供了一种降低输入电容的半导体器件；包括第一导电类型衬底，第一导电类型衬底的第一主面内设有第二导电类型基区，第二导电类型基区内设置有第一导电类型深扩散区和第二导电类型深扩散区第二导电类型基区内设置有第二导电类型深扩散区。具有低输入电容的半导体器件结构，将基区之间的部分栅氧层下面生长厚的第二绝缘层，这样增大了绝缘层厚度，减小了输入电容，有利于器件的高频应用。第二绝缘层上方的多晶是不连续的，这样减小了形成电容的面积进而减小了输入电容，有利于器件的高频应用，这样减小了形成电容的面积进而减小了输入电容，有利于器件的高频应用。

技术领域

本实用新型涉及一种降低输入电容的半导体器件。

背景技术

在功率半导体领域，电压控制型器件作为开关已经被广泛应用。在高频应用中，电压控制型器件需要提高开关频率，而开关速度与它的输入电容密切相关。电容的充放电是限制其开关频率提高的主要因素，尤其是反向传输电容，它的密勒效应对器件开关特性有重要影响。

如图2所示传统的电压控制类器件，输入电容包括栅极与有源区金属电极之间电容Cgm，栅极与N+高浓度掺杂区之间的电容Cge，栅极与P基区电容Cgb，栅极与N-漂移区电容Cgd。电容C与形成电容的面

在传统工艺中，多晶硅窗口之间的栅氧与P基区上方栅氧厚度一致，P基区窗口之间的多晶硅也是连在一起，PSG或BPSG上方的金属也是连在一起的。这导致了大的输入电容，在高频应用中，由于大的输入电容的影响，限制了开关频率的提高。

实用新型内容

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种降低输入电容的半导体器件。

本实用新型通过以下技术方案得以实现。

本实用新型提供的一种降低输入电容的半导体器件；包括第一导电类型衬底，第一导电类型衬底的第一主面内设有第二导电类型基区，第二导电类型基区内设置有第一导电类型深扩散区和第二导电类型深扩散区第二导电类型基区内设置有第二导电类型深扩散区，第二导电类型深扩散区内设置第一导电类型深扩散区，第一导电类型深扩散区的第一主面上设有第一绝缘层，第一缘层上设有第一导电层，第一导电层和第一绝缘层上设有第三绝缘层，第三绝缘层上设有第二导电层；所述第一绝缘层下方增设第二绝缘层，所述第二绝缘层的厚度大于第一绝缘层。

所述第一导电类型衬底为硅衬底，第一导电类型衬底第一主面为 MOS结构所在面，第二主面为背面，所述第一导电类型高浓度掺杂区的扩散深度为0.1-1.0μm，第一导电类型高浓度掺杂区的宽度为 0.1-5μm，所述第一导电类型高浓度掺杂区包括两个独立的高浓度掺杂区，两个独立的高浓度掺杂区的掺杂浓度均高于第二导电类型基区；两个高浓度掺杂区的一部分被多晶硅层覆盖，另一部分位于基区注入窗口。

所述第一绝缘层为绝缘性金属氧化物中的一种以及它们的任意组合。

所述第一绝缘层的厚度为10nm～1000nm。

所述的第二绝缘层为LPCVD或PECVD淀积的TEOS二氧化硅、磷硅玻璃PSG、硼磷硅玻璃BPSG、氮化硅、绝缘性金属氧化物中的一种或多种组合。

第二绝缘层设置在第一导电类型衬底上端，其两端分别在基区120的上端。

第二绝缘层上方的第一导电层为宽度大于沟道宽度的多晶硅层。

第二绝缘层上端的第二导电层为间断结构，第二导电层内间断的宽度小于有源区电极窗口之间的距离。

本实用新型的有益效果在于：1、本发明的具有低输入电容的半导体器件结构，将基区之间的部分栅氧层下面生长厚的第二绝缘层，这样增大了绝缘层厚度，减小了输入电容，有利于器件的高频应用。