[实用新型]像素结构和精细金属掩模板组有效
| 申请号: | 201822002987.7 | 申请日: | 2018-11-30 | 
| 公开(公告)号: | CN208970513U | 公开(公告)日: | 2019-06-11 | 
| 发明(设计)人: | 徐倩;吴建鹏;段芳芳;嵇凤丽 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 | 
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;C23C14/24;C23C14/12;C23C14/04 | 
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 | 
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光层 像素结构 圆角矩形 精细金属 凸起部 像素组 掩模板 凸出的 延长线 圆角处 混色 良率 色偏 直边 | ||
一种像素结构和精细金属掩模板组。该像素结构包括至少一个像素组,在各像素组中,相邻的第一颜色发光层、第二颜色发光层和第三颜色发光层之间包括空隙,第一颜色发光层的形状包括第一圆角矩形,和位于第一圆角矩形的圆角处且向空隙凸出的第一凸起部,第一凸起部至少部分凸出于第一圆角矩形靠近第二颜色发光层的直边的延长线。由此,该像素结构可降低甚至避免发生混色、色偏等不良的风险,并提高良率。
技术领域
本公开的实施例涉及一种像素结构和精细金属掩模板组。
背景技术
随着显示技术的不断发展,有机发光二极管显示装置(Organic Light EmittingDiode Display,OLED)由于自主发光、色彩鲜艳、低功耗、广视角等优点已成为显示领域的主流方向,并逐渐成为各大厂商的研究热点。
目前,有机发光二极管显示装置的主流制作工艺是利用精细金属掩模板(FineMetal Mask,FMM)来蒸镀有机发光二极管的像素结构的发光层。例如,有机发光二极管显示装置可包括三种颜色的子像素,该有机发光二极管显示装置的制作工艺可利用三种精细金属掩模板来分别制备这三种颜色的子像素。
实用新型内容
本公开实施例提供一种像素结构和精细金属掩模组。该像素结构包括至少一个像素组,各像素组包括:一个第一颜色发光层、两个第二颜色发光层和一个第三颜色发光层,第一颜色发光层和第三颜色发光层沿第一方向排列,两个第二颜色发光层的沿第二方向排列,两个第二颜色发光层的中心的连线与第一颜色发光层和第三颜色发光层的中心的连线相交,在各像素组中,相邻的第一颜色发光层、第二颜色发光层和第三颜色发光层之间包括空隙,第一颜色发光层的形状包括第一圆角矩形,和位于第一圆角矩形的圆角处且向空隙凸出的第一凸起部,第一凸起部至少部分凸出于第一圆角矩形靠近第二颜色发光层的直边的延长线。由此,第一颜色发光层具有向空隙凸出的第一凸起部,从而一方面可增加对该空隙的利用率,另一方面还可增加第一颜色发光层的圆角边缘与对应的阳极的圆角便于的距离(Margin),从而可降低甚至避免发生混色、色偏等不良的风险,并提高良率。
本公开至少一个实施例提供一种像素结构,其包括:至少一个像素组,各所述像素组包括:一个第一颜色发光层、两个第二颜色发光层和一个第三颜色发光层,所述第一颜色发光层和所述第三颜色发光层沿所述第一方向排列,两个所述第二颜色发光层沿第二方向排列,两个所述第二颜色发光层的中心的连线与所述第一颜色发光层和所述第三颜色发光层的中心的连线相交,在各所述像素组中,相邻的所述第一颜色发光层、所述第二颜色发光层和所述第三颜色发光层之间包括空隙,所述第一颜色发光层的形状包括第一圆角矩形,和位于所述第一圆角矩形的圆角处且向所述空隙凸起的第一凸起部,所述第一凸起部至少部分凸出于所述第一圆角矩形靠近所述第二颜色发光层的直边的延长线。
例如,在本公开一实施例提供的像素结构中,在各所述像素组中,所述第二颜色发光层的形状包括第二圆角矩形,所述第二圆角矩形靠近所述空隙的圆角为第二凸起部,两个所述第二颜色发光层的相邻的两个所述第二凸起部之间的距离的范围D为14-20微米。
例如,在本公开一实施例提供的像素结构中,在各所述像素组中,所述第三颜色发光层的形状包括第三圆角矩形,和位于所述第三圆角矩形的圆角处且向所述空隙凸起的第三凸起部,所述第三凸起部至少部分凸出于所述第三圆角矩形靠近所述第二颜色发光层的直边的延长线。
例如,在本公开一实施例提供的像素结构中,所述第一凸起部位于第一三角形区域内,所述第一三角形区域的第一短边一端为相邻的所述第二颜色发光层的中心的连线的中点,且向所述空隙沿所述第二方向延伸且长度L1,所述第一三角形区域的第二短边一端为所述第一短边位于所述空隙的端点,另一端与所述第一圆角矩形靠近所述第二颜色发光层的直边相交,且长度为R1,其中L1大于4微米,R1的范围在5-15微米。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





