[实用新型]一种基于SOI结构的薄膜声波滤波器有效
| 申请号： | 201821996054.8 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN209030172U | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 欧文;申洪霞 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H9/17;H03H9/56 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 谐振器结构 共振吸收 薄膜体声波谐振器 本实用新型 声波滤波器 结构设置 空气隙 薄膜 | ||
1.一种基于SOI结构的薄膜体声波谐振器，包括：
谐振器结构；
共振吸收结构，所述共振吸收结构设置在所述谐振器结构下方；
SOI结构，所述SOI结构设置在所述共振吸收结构下方；以及
空气隙，位于所述谐振器结构下方的所述SOI结构中。
2.如权利要求1所述的基于SOI结构的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述谐振器结构进一步包括：
上电极；
位于所述上电极下方的下电极；以及
位于所述下电极和上电极之间的压电材料层。
3.如权利要求2所述的基于SOI结构的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电材料层的材料为AlN，厚度约为材料声波波长的二分之一。
4.如权利要求1所述的基于SOI结构的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述共振吸收结构进一步包括：
上层金属层；
位于上层金属层下方的共振吸收介质层；以及
位于所述共振吸收介质层下方的声阻层。
5.如权利要求4所述的基于SOI结构的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述上层金属层为所述谐振器结构的下电极。
6.如权利要求4所述的基于SOI结构的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述共振吸收介质层的材料为AlN，厚度约为材料声波波长的四分之一。
7.如权利要求4所述的基于SOI结构的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述声阻层的材料为声阻抗大于AlN的材料，厚度约为该材料中声波波长的四分之一。
8.如权利要求4所述的基于SOI结构的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述声阻层的材料为金属材料，厚度约为该金属材料中声波波长的四分之一。
9.如权利要求1所述的基于SOI结构的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述SOI结构进一步包括：
单晶硅层，所述单晶硅层的厚度不小于谐振频率波长的四分之一；
位于所述单晶硅层下方的氧化硅层；以及
单晶硅结构支撑层。
10.如权利要求1所述的基于SOI结构的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述空气隙位于所述SOI结构的单晶硅结构支撑层中，为垂直空气隙。
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